Neste IDF a Intel voltou a enfatizar a grande característica da memória DDR2, que é o seu consumo, na ordem de 30% menor que o das memórias DDR266 e na ordem de 40% menor que o das memórias DDR333, o que torna esta memória perfeita para notebooks – além de oferecer um desempenho maior que as memórias DDR. Segundo a Intel, o uso de memórias DDR2 pode representar até 10% de ganho na duração da bateria do notebook.
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Figura 3: Consumo das memórias DDR2.
A Intel aproveitou para nos atualizar sobre o desenvolvimento das memórias DDR2-667 e DDR2-800. O padrão DDR2-667 está na sua fase final de especificação, enquanto o padrão DDR2-800 está em sua fase inicial de especificação. Para que você entenda melhor o que isto quer dizer, a criação de um novo tipo de memória passa por sete estágios. A fase em que o padrão DDR2-667 está hoje é a quarta (ou seja, faltam ainda três etapas para chegar ao mercado) e a fase em que o padrão DDR2-800 está é a segunda (ou seja, faltam ainda cinco etapas até que ela chegue ao mercado).
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Figura 4: Etapas onde o desenvolvimento das memórias DDR2-667 e DDR2-800 estão hoje.
Durante este IDF a Intel apresentou mais detalhes sobre as futuras memórias DDR3, que deverão chegar ao mercado somente em 2006. Como você pode ver na Figura 5, os primeiros modelos serão de 800 MHz e 1066 MHz. Lembrando que, como ocorre com as memórias DDR e DDR2 este clock é "falso" pois indica o desempenho da memória e não o seu clock real.
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Figura 5: Planejamento da Intel para memórias.
Segundo a Intel, as memórias DDR3 terão uma latência de 15% a 20% menor do que as memórias DDR2, serão alimentadas com 1,5 V e usarão um conector com a mesma quantidade de pinos dos módulos DDR2, porém com travas de instalação posicionadas em locais diferentes – isto é, não será possível instalar módulos DDR3 em soquetes DDR2 e vice-versa.
O grande problema das memórias DDR3 é que só podemos instalar apenas um módulo por canal. As memórias DDR2 nós podemos instalar dois módulos por canal e no caso das memórias DDR convencionais é possível o uso de até três módulos por canal.
Esta limitação física impede a criação de placas-mãe com mais de um soquete (no caso de DDR3 single channel) ou com mais de dois soquetes (no caso de DDR3 dual channel), o que realmente é um problema.
A solução para isto é o uso da nova tecnologia FB-DIMM (Fully Buffered DIMM), que a Intel já havia apresentado no IDF passado. Com o uso de módulos FB-DIMM, a capacidade de instalação de memória pula para oito módulos por canal. Sugerimos que você leia a nossa cobertura do IDF Spring 2004 para entender mais detalhadamente como esta tecnologia funciona. | 
