Como já explicamos, o transformador principal e o secundário desta fonte de alimentação estão localizados na placa de circuito impresso superior. Nós já postamos uma foto desta placa na Figura 7, mas na Figura 13 você pode ver essa placa sem seus dissipadores de calor.
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Figura 13: Visão geral da placa de circuito impresso superior.
Esta fonte implementa uma topologia síncrona em seu secundário. Nesta topologia os diodos são substituídos por transistores MOSFET de potência. A idéia, pelo menos em teoria, é aumentar a eficiência. Isto é conseguido reduzindo-se o desperdício que produzido pelo componente responsável pela retificação: enquanto que diodos Schottky possuem uma queda de tensão típica de 0,5 V (i.e. tensão desperdiçada pelo componente), transistores MOSFET de potência têm uma queda de tensão típica de 0,1 V ou menos. Infelizmente em nossos testes esta fonte não obteve uma eficiência muito boa, como discutiremos em mais detalhes depois.
Esta fonte de alimentação usa nove transistores de potência MOSFET FDP047AN08A0, cada um capaz de fornecer até 15 A a 25°C em modo contínuo ou 80 A em modo pulsante (que é o modo usado), também rotulado a 25°C. Isto é igual a 73 A a 50°C, 62 A a 85°C ou 56,5 A a 100°C, calculado usando a fórmula presente no datasheet deste transistor.
Como você pode ver, a corrente máxima que um semicondutor consegue fornecer varia de acordo com a sua temperatura de funcionamento. Por isso que é muito importante saber em que temperatura o fabricante rotulou suas fontes de alimentação. Quando não especificada normalmente a fonte de alimentação é rotulada a 25°C, uma temperatura que a fonte de alimentação nunca trabalhará (uma temperatura típica de funcionamento é de cerca de 40°C), o que significa que a potência máxima rotulada será atingida apenas no laboratório do fabricante com a temperatura interna da fonte de alimentação controlada a 25°C, mas nunca em casa, onde a fonte de alimentação estará funcionando com uma temperatura muito maior.
A propósito, não encontramos nenhuma referência a respeito da temperatura na qual esta fonte foi rotulada no site da OCZ, na caixa do produto ou em seu manual. Nós falaremos mais sobre isso na próxima página.
A corrente máxima teórica que cada linha pode fornecer é dada pela fórmula I / (1 – D), onde D é o ciclo de trabalho usado e I é a corrente máxima suportada pelo diodo responsável pela retificação (neste caso formado por um transistor com um limite de 56,5 A a 100º C - nós usaremos este valor para uma comparação mais justa, já que retificadores são rotulados a esta temperatura ou mais). Apenas como um exercício teórico podemos assumir um ciclo de carga de 30%. Isto nos daria uma corrente máxima teórica de 81 A para cada saída, ou seja, 969 W para a saída de +12 V, 404 W para a saída de +5 V e 266 W para a saída de +3,3 V. A corrente máxima que esta linha pode realmente fornecer depende dos demais componentes usados, em particular da bobina.
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Figura 14: Sete dos nove transistores de potência MOSFET usados. Você pode ainda ver o sensor de temperatura.
Nesta fonte de alimentação as saídas +5V e + 3,3V usam saídas independentes do transformador. Normalmente em fontes de alimentação topo de linha essas duas saídas usam retificadores separados, mas conectadas à uma mesma saída do transformador, o que limita a corrente máxima cada saída pode alcançar.
Vamos agora falar um pouco mais sobre as especificações de potência desta fonte de alimentação.
