O grande problema é a complexidade de se diminuir ainda mais o tamanho dos transistores usados no interior dos chips de processadores. Como você pode conferir na figura abaixo, a nova tecnologia de 90 nm (0,090 micron) faz com que as trilhas dos processadores sejam menores do que o vírus da gripe.
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Figura 3: Comparação das tecnologias de 0,13 micron e 90 nanômetros.
Mesmo assim, Ottelini fez a primeira apresentação de um wafer de uma nova pastilha de silício usando a tecnologia de 65 nm (0,065 micron), que deverá ser lançada somente em 2005. Para esta tecnologia, a Intel investiu US$ 10 bilhões na fábrica de Ronler Acres, Oregon.
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Figura 4: Wafer contendo pastilhas de silício com tecnologia de 65 nm.
Para a tecnologia após a de 65 nm, a Intel está desenvolvendo um novo tipo de transistor, chamado tri-gate, que tem três terminais "gate", como você confere na figura 5 (os trasistores FET normalmente têm três terminais, um chamado Dreno ou Drain, um chamado Fonte ou Source e um chamado Portão ou Gate). Ou seja, este tipo de transistor tem três terminais de controle, em vez de apenas um.
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Figura 5: Transistor Tri-Gate, candidato a ser usado nas pastilhas abaixo de 65 nm.
Segundo a Intel, a sua tecnologia de 45 nm estará disponível em 2007, a de 32 nm em 2009 e a de 22 nm em 2011. Interessante notar que nestas tecnologias, cada terminal do transistor deverá ter, respectivamente, 20 nm, 15 nm e 10 nm de espessura. Só para você ter uma idéia, a espessura de uma molécula de DNA humano é de aproximadamente 12 nm. Realmente impressionante.
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Figura 6: Tecnologia de 45 nm.
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Figura 7: Tecnologias de 32 nm e 22 nm.
Além das novidades na área de construção de processadores, a Intel anunciou novidades importantes na linha de processadores para servidores (Itanium e Xeon). |
