Índice
Índice
- Introdução
- Por Dentro da Fractal Design Newton R3 800 W
- Estágio de Filtragem de Transientes
- Análise do Primário
- Análise do Secundário
- A Fonte de Alimentação +5VSB
- Distribuição da Potência
- Testes de Carga
- Testes de Regulação de Tensão
- Testes de Oscilação e Ruído
- Testes de Sobrecarga
- Principais Especificações
- Conclusões
Análise do Primário
Vamos agora dar uma olhada em profundidade no primário da Fractal Design Newton R3 800 W. Para uma melhor compreensão do que iremos falar aqui, sugerimos a leitura do nosso tutorial “Anatomia das Fontes de Alimentação Chaveadas”.
Esta fonte de alimentação usa duas pontes de retificação US15KB80R, que estão conectadas ao mesmo dissipador de calor que os semicondutores primários. Cada ponte suporta até 15 A a 101° C, o que significa que em teoria você seria capaz de extrair até 3.450 W desta fonte em uma rede elétrica de 115 V; assumindo uma eficiência de 80%, estas pontes permitiriam que a fonte fornecesse até 2.760 W (ou 3.105 W a uma eficiência de 90%) sem que elas se queimassem. Claro que estamos falando apenas desses componentes e o limite real dependerá de outros componentes da fonte de alimentação.
Figura 11: Pontes de retificação
O circuito PFC ativo utiliza um transistor MOSFET IPW60R099C6, que suporta até até 37,9 A a 25° C ou 24 A a 100° C em modo contínuo (veja o que a diferença de temperatura faz) ou até 112 A a 25° C em modo pulsante. Este transistor possui uma resistência máxima de 99 mΩ quando ligados, característica chamada RDS(on). Quanto menor esta resistência melhor, pois menos os transistores consumirão, significando maior eficiência.
O circuito PFC ativo é controlado por um circuito integrado ICE2PCS01.
Figura 12: O controlador do PFC ativo
A saída do circuito PFC ativo é filtrada por dois capacitores eletrolíticos japoneses de 220 µF x 400 V da Chemi-Con, rotulados a 105º C. Estes capacitores estão ligados em paralelo e equivalem a um capacitor único de 440 µF x 400 V
Figura 13: Capacitor
Na seção de chaveamento, dois transistores MOSFET SPW32N50C3 são empregados usando uma configuração ressonante. Cada transistor suporta até 32 A a 25 C ou 20 A a 100° C em modo contínuo ou até 96 A a 25º C em modo pulsante com um RDS(on) máximo de 110 mΩ.
Figura 14: Transistores chaveadores, diodo do PFC ativo e transistores do PFC ativo
Os transistores chaveadores são controlados por um circuito integrado CM6901.
Figura 15: Controlador ressonante
Vamos agora dar uma olhada no secundário desta fonte de alimentação.
Respostas recomendadas