Análise do Secundário
A OCZ ZT Series 650 W usa um projeto semissíncrono na saída de +12 V: a retificação direta é feita por dois transistores MOSFET, mas a porção “giro livre” da retificação é feita por dois retificadores Schottky. A substituição dos diodos por transistores é feita para aumentar a eficiência, mas normalmente todos os diodos são substituídos, e não apenas metade deles, como foi feito aqui.
A saída de +12 V usa dois transistores MOSFET QM6020AP, cada um suportando até 198 A a 25° C ou 125 A a 100° C em modo contínuo, ou 350 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) de 3,8 mΩ, e dois retificadores Schottky PFR60L60CT (60 A, 30 A por diodo interno a 100° C, queda de tensão máxima de 0,65 V).
A saída de +5 V usa dois retificadores Schottky PFR30L45CT (30 A, 15 A por diodo interno a 100° C, queda de tensão máxima de 0,52 V), o que nos dá uma corrente máxima teórica de 43 A ou 214 W para esta saída.
A saída de +3,3 V usa dois retificadores Schottky PFR20L45CT (20 A, 10 A por diodo interno a 120° C, queda de tensão máxima de 0,50 V), o que nos dá uma corrente máxima teórica de 29 A ou 94 W para esta saída.
Figura 14: Transistores de +12 V e retificadores de +12 V, +5 V e +3,3 V
Esta fonte usa um circuito integrado de monitoramento ST9S424. Infelizmente o documento técnico deste componente não está disponível no site do fabricante, por isso não podemos comentar sobre as proteções que esta fonte realmente suporta.
Figura 15: Circuito de monitoramento
Os capacitores eletrolíticos responsáveis por filtrar as saídas são japoneses, da Chemi-Com, e estão rotulados a 105° C, como de costume.
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