DDR x GDDR x DDRII X DDRIII

[BIZZY D]

galera, em termos de memoria, sou meio burro, e gostaria de saber (sei q uma é mais rápida q a outra) quais as reais diferenças entre um tipo de memoria e outra.

[Renato Marcelino]

A arquitetura das matrizes da memoria sao um pouco diferentes embora utilizam o mesmo principio de 1 Transistor + 1 Capacitor.

Alem do maior suporte a freqüências, essas memorias apresentam ainda diferenças quanto ao numero de informações por clock, trabalham com voltagens menores alem claro dos tipos de encaixes... uma não funciona na outra...

[pereira13]

Gostei do tópico ficaria legal se o pessoal pudesse esclarecer bem o funcionamento de cada tipo das memórias.

Vou começar com a DDR-II e mostrar a diferença de desempenho entre ela e a DDR-I.

[pereira13]

http://www.pcstats.com/articleimages/200309/corsairXMS4KPro_comp2.jpg' border='0' alt='' />

Antes de explicarmos outras tecnologias e, sobretudo, falarmos sobre resultados gerais, nós testaremos em detalhes a performance da memória DDR-II comparada com a antiga geração DDR-I. Para isso, nós utilizamos dois sistemas semelhantes para os testes. Ambos os sistemas são baseados numa plataforma Intel Pentium 4 Prescott com uma freqüência de operação de 3.2 Ghz. O primeiro sistema trabalha com o Socket µPGA478 e o outro com o novo socket LGA775. A primeira plataforma utiliza o chipset i875P e 2 módulos de memória de 512 Mb DDR400 com um timing de 2-5-3-3, enquanto que a segunda utiliza o chipset i925X com 2 módulos de memória de 512 Mb DDR-II 533 com um timing de 4-4-4.

Para iniciarmos os testes, utilizaremos o programa Membench do ScienceMark v2.0:

http://www.x86-secret.com/pics/cpu/lga775/scm2mb.png' border='0' alt='' />

Como podemos constatar, a diferença na performance entre a DDR-I 400 e a DDR-II 533 é bem pequena. Se a DDR-II consegue uma grande vantagem nos testes “simples”, ela é ligeiramente ultrapassada quando é obrigada a fazer maciças transferências SSE. entretanto, na média, DDR-II 533 foi ligeiramente mais eficiente que a DDR-I. Levando em consideração as características do teste empregado, isso significa que a comunicação CPU<->Northbridge<->RAM não sofreu um estrangulamento. Continuaremos os testes com o benchmark Wstream, famoso no mundo dos testers:

http://www.x86-secret.com/pics/cpu/lga775/wtream.png' border='0' alt='' />

Aqui também a DDR-II foi em média cerca de 5% mais eficiente que a DDR-I 400, mas aqui se trata de bandwitch puro e nós ainda não avaliamos os efeitos dos timings, importantes nos outros testes. Vejamos por exemplo os resultados obtidos com o Mbench:

http://www.x86-secret.com/pics/cpu/lga775/mbench.png' border='0' alt='' />

Vou continuar...

[pereira13]

Continuando...

Novamente nós podemos observar outra mudança. De fato, a DDR-I parece ser mais rápida que a DDR-II para leitura, mas ela foi menos rápida na escrita. Isso quer dizer que em INT ou MMX, o desempenho DDR-I parece ser 10% mais rápido para leitura e 20% mais lento na escrita. Passemos agora para as latências. As latências foram medidas nos módulos DDR400 e elas estão trabalhando com CAS 2.5-3-3 e 2-2-2, e os módulos DDR2-533 com CAS 4-4-4 e 3-3-3:

http://www.x86-secret.com/pics/cpu/lga775/mbench2.png' border='0' alt='' />

É aqui que a coisa muda de figura. De fato, mesmo com o timing o mais agressivo possível, a DDR-I não foi capaz de apresentar uma latência superior a DDR-II. Os problemas de lentidão que poderiam ocorrer são, por conseguinte, originários de uma latência extremamente elevada que ainda não é compensada com o aumento do bandwitch. Nós finalizamos nossos teste com um resumo do cachemem:

http://www.x86-secret.com/pics/cpu/lga775/cachemem.png' border='0' alt='' />

Os resultados do mbench são confirmados aqui: A DDR-II 533 parece ser mais rápida que a DDR-I 400 na escrita, mas ela claramente se retrai na hora da leitura e na latência apresentada. Conseqüentemente, será necessário esperar um aumento significativo na freqüência da memória (ou do FSB!) de maneira que o efeito das latências possa ser anulado.

Artigo publicado originalmente no site www.x86-secret.com em 10 de Julho de 2004, por SAMUEL-D e traduzido pela Equipe de Tradução SKuLL_DeviLL

Para maiores referências consulte os links:

X-86 SECRET

Matéria retirada de:

http://www.forumpcs.com.br/viewtopic.php?t...highlight=ddrii

[BIZZY D]

VALEU PEREIRA!!!!!!

Era exatamente essas informações q eu particularmente queria obter. eu por exemplo, num sabia q uma não funcionava na outra. Excelente explicação, parabens!!!!!!

[pereira13]

GDDRIII

A Micron começou a enviar amostras das primeiras memórias DDR SDRAM de

terceira geração desenvolvidas exclusivamente para aplicações gráficas. Fabricada

com tecnologia de 0,11 micron, a GDDR 3 tem desempenho 50% superior ao da

GDDR 2, mas consome menos energia (2 W). Isso se deve a uma tensão mais

baixa, de 1,8 V, contra os 2,5 V da GDDR 2.

De acordo com a Micron, a GDDR 3 oferece banda de 6,4 GB/s e tem clock entre

600 MHz e 800 MHz. A empresa diz, entretanto, que essa velocidade pode ser

ainda maior. Tanto a ATI, que participou diretamente do desenvolvimento do

produto, quanto a nVidia já estão testando as novas memórias. As memórias

GDDR 3 devem chegar ao mercado no último trimestre deste ano.

[lOcAlZiN]

Realmente mt bom o tópico ....

Várias dúvidas esclarecidas !

:palmas:

[pereira13]

Diferença entre GDDR e DDR...

Retirado do Magnet

Vale lembrar que a tecnologia GDDR não tem muita diferença da DDR comum utilizada nos PCs. Só é uma adaptação para placas gráficas, daí o g de “graphic”.

Link:

http://www.magnet.com.br/bits/mercado/2002/12/0017

Então as GDDR,GDDRII,GDDRIII não tem muita diferença da DDR,DDRII,DDRIII

só que as GDDR são para placas de vídeo.

[pereira13]

Tirado do Toms hardware Guide

O que há de novo sobre as GDDR-3?

What's New About GDDR-3?

The list of differences between GDDR-3 and GDDR-1 memory is remarkably short. Basically, where GDDR-1 modules required 2.5V, the newer GDDR-3 chips use 1.8V (Micron) or 1.9V (Samsung). Also, the GDDR-3 specification calls for an on-die termination. Both of these improvements allow the chips to be run at much higher frequencies. Samsung demonstrated the modules with the highest frequency to date, running at no less than 800MHz (1600MHz DDR). In the future, expect to see chips with even higher clock speeds. The newer technology has one disadvantage compared to GDDR-1, namely much higher CAS latencies (CAS read latency). In practice, this means that GDDR-1 modules will be slightly faster than GDDR-3 chips at the same clock speed. However, this drawback is easily outweighed by the higher frequencies at which the chips can operate. 

Although memory makers Hynix and Samsung list 256 Mbit GDDR-1 modules rated at 700MHz and 800MHz on their product pages, the fastest GDDR-1 modules available in appreciable quantities run at 500MHz. Producing GDDR-1 memory that will operate at such high speeds is difficult, however, which is reflected in the almost prohibitively high prices of these modules. GDDR-3 modules currently produced by Samsung and Micron, on the other hand, only start at 500MHz.

Então as GDDR3 são muito parecidas com as GDDR1, as diferenças são que as GDDR3 trabalham com uma tensão menor, enquanto as GDDR1 requerem 2,5V o uso mais novo das microplaquetas GDDR3 requerem 1,8V (mícron) ou 1,9V samsung. Essas melhoras fazem com que as memórias GDDR 3 possam trabalhar em frequência muito mais alta a samsung mostrou módulos que trabalham a 800MhZ ou 1600MHZ DDR. No futuro espera-se ver memórias com velocidades maiores. A única desvantagem das GDDR3 em relação as GDDR é que a GDDR3 tem latências muito mais elevadas, então elas seriam mais lentas que as GDDR na mesma freqência. Entretanto este inconveniente é facilmente superado pelas velocidades mais altas em que as microplaquetas podem operar.

[pereira13]

Sobre DDRII Olhem:

http://www.anandtech.com/memory/showdoc.html?i=2003