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Home » Notícias » Memória


[07-Out-08] Lexar Media Lança Crucial Ballistix Tracer DDR3-1333
[06-Out-08] Elpida Desenvolve Chips de 65 nm
[03-Out-08] Transcend Lança Memórias Flash T5
[03-Out-08] A-Data Anuncia Kits de Memória de Três Canais Para o Core i7
[26-Set-08] Buffalo Anuncia DDR3-2400
[19-Set-08] Walton Chaintech Lança APOGEE ELITE DDR2-800 FB-DIMM
[05-Set-08] Patriot Lança DDR3-2000
[04-Set-08] Kingston Lança Memórias para Notebooks HyperX
[14-Ago-08] Mushkin Lança Módulos de Memória DDR3-1333
[11-Ago-08] Kingmax Lança Memórias Flash USB PD07
[07-Ago-08] OCZ Lança Módulos DDR2 “P45 Special”
[31-Jul-08] SanDisk Lança Memórias Flash Cruzer Pattern
[29-Jul-08] Mushkin Lança Série de Memórias X-Line
[28-Jul-08] Lexar Media Lança Novos Módulos DDR3
[25-Jul-08] Walton Chaintech Lança APOGEE GT Blazer DDR3-1800

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Lexar Media Lança Crucial Ballistix Tracer DDR3-1333
Autor: Cássio Lima Data: 07 de outubro de 2008 - 12:52 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.lexar.com/newsroom/press/press_10_07_08.html
A Lexar Media acaba de lançar os módulos de memória Crucial Ballistix Tracer DDR3-1333 (PC3-10600) voltados para os entusiastas em overclock e jogos. Esses módulos trabalham a 1.333 MHz com latências 6-6-6-20 alimentados com 1,8 V. Além disso, esses módulos utilizam placa de circuito impresso (PCB) e dissipador de calor preto, LEDs indicativos e estão disponíveis em modelos de 1 GB (US$ 54,99) e 2 GB (US$ 99,99) e em kits de 2 GB (US$ 109,99) e 4 GB (US$ 199,99). Todos esses preços são válidos para o mercado norte-americano.
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Elpida Desenvolve Chips de 65 nm
Autor: Cássio Lima Data: 06 de outubro de 2008 - 12:26 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.elpida.com/en/news/2008/10-06.html
A Elpida anunciou que desenvolveu uma nova versão do seu chip de memória DDR2 de 1 Gbit usando processo de fabricação de 65 nm. Com isso vai ser possível aumentar em 20% a densidade de chips em um wafer de 300 mm (mais chips poderão ser fabricados em uma única “fornada”; um aumento de 60% se comparado com um wafer de chips de 70 nm). A produção em massa dos chips de 65 nm começará ainda este ano. A Elpida anunciou ainda que está trabalhando no desenvolvimento de chips de 50 nm que deverão começar a ser produzidos no final de dezembro deste ano. De acordo com a Elpida, o processo de fabricação de 50 nm aumentará a produtividade em até 50% se comparado com o processo de 65 nm.
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Transcend Lança Memórias Flash T5
Autor: Cássio Lima Data: 03 de outubro de 2008 - 14:43 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.transcendusa.com/Press/index.asp?LangNo=0&axn=Detail&...

A Transcend expande sua linha de produtos JetFlash com o lançamento das memórias flash USB T5. Disponíveis em capacidades de 2 GB (laranja/preto) e 4 GB (branco/preto), as novas memórias JetFlash T5 pesam apenas 2 g, medem 29,9 mm x 15,3 mm x 6,1 mm (A x L x P), são à prova d’água e resistentes a impactos, e possuem conector USB retrátil. Informações sobre preço não foram divulgadas.


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A-Data Anuncia Kits de Memória de Três Canais Para o Core i7
Autor: Cássio Lima Data: 03 de outubro de 2008 - 12:48 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.adata.com.tw/
A Intel ainda nem lançou oficialmente seu processador Core i7 (baseado na microarquitetura Nehalem) e a A-Data acaba de anunciar kits de memória DDR3 de três canais para ser usados com este processador. O controlador de memória integrado no processador Core i7 oferece três canais de memória, o que significa que ele é capaz de acessar três módulos de memória ao mesmo tempo, em paralelo, aumentando assim o desempenho – em teoria a arquitetura de três canais oferece um aumento de 50% na largura de banda em relação a arquitetura de dois canais rodando com o mesmo clock. Portanto para obter o maior desempenho possível do processador Core i7 você precisará instalar três ou seis (caso sua placa-mãe tenha seis soquetes de memória, é claro) módulos de memória.

Os kits de memória DDR3 de três canais da A-Data estão disponíveis em capacidades de 3 GB e 6 GB e funcionam a 1.333 MHz (com temporizações 7-7-7-20 alimentados com 1,65 V – 1,75 V) ou a 1.600 MHz (com temporizações 8-8-8-24 também alimentados com 1,65 V – 1,75 V). Informações sobre preços não foram divulgadas.


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Buffalo Anuncia DDR3-2400
Autor: Cássio Lima Data: 26 de setembro de 2008 - 12:46 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.buffalotech.com/
A Buffalo acaba de anunciar os módulos de memória DDR3 capazes de trabalhar a 2.400 MHz (PC3-19200). Esses módulos têm capacidade de 1 GB, utilizam chips de memória da Elpida e foram testados de maneira estável a 2.400 MHz com temporizações 11-11-11-34 alimentados com 2,1 V. No entanto, eles podem trabalhar com a tensão de alimentação padrão da tecnologia DDR3, 1,5 V, até 2.096 MHz com temporizações 9-10-9-24. Por enquanto os módulos são apenas protótipos, mas há grandes chances de eles cheguem ao mercado em breve.
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Walton Chaintech Lança APOGEE ELITE DDR2-800 FB-DIMM
Autor: Cássio Lima Data: 19 de setembro de 2008 - 11:52 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.chaintech.com.tw/a511_newsrelease_detail.php?serno=57...
A Walton Chaintech lançou o modulo de memória FB-DIMM APOGEE ELITE DDR2-800 desenvolvido para o mercado de servidores e estações de trabalho. Os módulos FB-DIMM oferecem maior desempenho do que os módulos DIMM por utilizarem comunicação serial e caminhos separados para transmissão e recepção de dados. Nos módulos de memória DIMM convencionais é usado um único caminho tanto para a transmissão quanto para a recepção, além da comunicação paralela. Este módulo da Walton Chaintech está disponível em kits de 4 GB e possui duas latências, CL4 e CL5. Informações sobre preço e disponibilidade não foram divulgadas.
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Patriot Lança DDR3-2000
Autor: Cássio Lima Data: 05 de setembro de 2008 - 11:22 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.patriotmem.com/company/news/newsp.jsp?source=135
A Patriot amplia sua linha de produtos Viper com o lançamento das memórias DDR3-2000 (PC3-16000). Disponível em kits de 2 GB e 4 GB com temporizações 9-9-9-24 e alimentados com 2 V, esses módulos da Patriot suportam a tecnologia EPP 2.0 (Enhanced Performance Profiles, Perfis de Desempenho Avançado) que permite que os módulos de memória DDR3 negociem com o controlador de memória as melhores latências e o clock mais elevado em que eles podem trabalhar de modo a aumentar o desempenho. Esta tecnologia funciona apenas com os chipsets da nVidia. Informações sobre preço e disponibilidade não foram divulgadas.
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Kingston Lança Memórias para Notebooks HyperX
Autor: Cássio Lima Data: 04 de setembro de 2008 - 14:51 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.kingston.com/press/2008/memory/09a.asp

A Kingston acaba de lançar seu novo kit de memórias HyperX (KHX6400S2ULK2/4G) para notebooks. Com capacidade de 4 GB, este kit é formado por dois módulos de memória DDR2 SO-DIMM de 2 GB capaz de trabalhar a 800 MHz com temporizações CL4-4-4-12 ou a 667 MHz com temporizações CL3-4-4-10, alimentados com 1,8 V. O kit HyperX já pode ser encontrado no mercado e seu preço sugerido nos EUA é de US$ 257.


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Mushkin Lança Módulos de Memória DDR3-1333
Autor: Cássio Lima Data: 14 de agosto de 2008 - 14:44 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.mushkin.com/doc/products/performance/

A Mushkin amplia sua linha de produtos HP com o lançamento dos módulos de memória DDR3-1333 HP3-10666. Com temporizações 7-7-7-20 e alimentados com 1,7 V-1,8 V, esses novos módulos DDR3 da Mushkin estão disponíveis em capacidades de 1 GB (991651) e 2 GB (991652), e em kits de 2 GB (996651) e 4 GB (996652).


Módulo de memória Mushkin HP3-10666

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Kingmax Lança Memórias Flash USB PD07
Autor: Cássio Lima Data: 11 de agosto de 2008 - 14:46 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.kingmax.com/products/ud/udrive.htm

A Kingmax acaba de ampliar sua linha de produtos U-Drive com o lançamento das memórias flash USB PD07. Com capacidades de 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB e 16 GB, essa novas memórias USB possuem com um mecanismo de correção de erro que garante uma maior integridade dos dados armazenados, além de suportarem a tecnologia ReadyBoost da Microsoft. Informações sobre preço e disponibilidade não foram divulgadas.

Memória USB Kingmax PD07
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OCZ Lança Módulos DDR2 “P45 Special”
Autor: Cássio Lima Data: 07 de agosto de 2008 - 10:57 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.ocztechnology.com/aboutocz/press/2008/303

A OCZ acaba de lançar os módulos DDR2 “P45 Special” de 4 GB especificamente otimizados para o chipset Intel P45. Disponíveis em kits de dois canais de 8 GB (2 x 4 GB) ou 16 GB (4 x 4 GB), esses módulos são ideais para ser usados em aplicações “pesadas” que exigem grandes quantidades de memória. Os seguintes módulos foram lançados:

  • OCZ PC2-6400 Platinum: Disponível em kits de 8 GB (2 x 4 GB) com temporizações 5-4-4-15 e alimentado com 1,8 V.
  • OCZ PC2-6400 Gold: Disponível em kits de 8 GB (2 x 4 GB) com temporizações 5-5-5-15 e alimentado com 1,8 V.
  • OCZ PC2-6400 Vista Upgrade: Disponível em kits de 8 GB (2 x 4 GB) com temporizações 5-6-6-18 e alimentado com 1,8 V.
  • OCZ PC2-6400 Vista Upgrade: Disponível em kits de 16 GB (4 x 4 GB) com temporizações 5-6-6-18 e alimentado com 1,8 V.
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SanDisk Lança Memórias Flash Cruzer Pattern
Autor: Cássio Lima Data: 31 de julho de 2008 - 00:01 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.sandisk.com/Products/Catalog(1404)-SanDisk_Cruzer_Pat...

A SanDisk acaba de lançar as memórias flash USB Cruzer Pattern. Disponíveis em capacidades de 1 GB (cinza) e 2 GB (preto), essas novas memórias suportam a tecnologia U3, que permite a você transportar o programa necessário para trabalhar com seus arquivos automaticamente na memória. Assim, quando você abre seus arquivos em um computador diferente, você será capaz de trabalhar com eles mesmo que o programa necessário para editá-lo não esteja instalado neste computador. O preço sugerido para o modelo de 1 GB é de US$ 9,99 e para o modelo de 2 GB é de US$ 14,99. Preços válidos para o mercado norte-americano.

SanDisk Cruzer Pattern
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Mushkin Lança Série de Memórias X-Line
Autor: Cássio Lima Data: 29 de julho de 2008 - 00:20 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.mushkin.com

A Mushkin acaba de lançar uma nova série de módulos de memórias chamada X-Line. Os módulos desta série utilizam dissipadores de calor coloridos e a placa de circuito impresso (PCB) é preta, em vez da tradicional cor verde. Os seguintes módulos foram lançados:

  • 996580X (DDR2-800 / PC2-6400): Disponível em kits de 4 GB com temporizações 4-4-4-12 e utiliza dissipador de calor preto.
  • 996580wX (DDR2-800 / PC2-6400): Disponível em kits de 4 GB com temporizações 4-4-4-12 e utiliza dissipador de calor branco.
  • 996593X (DDR2-1000 / PC2-8000): Disponível em kits de 4 GB com temporizações 5-5-5-15 e utiliza dissipador de calor vermelho.

Todos esses módulos suportam a tecnologia EPP (Enhanced Performance Profiles, Perfis de Desempenho Avançado) que permite que os módulos de memória negociem com o controlador de memória as melhores latências e o clock mais elevado em que eles podem trabalhar de modo a aumentar o desempenho. Esta tecnologia funciona apenas com os chipsets da nVidia.

Mushkin 996580X
Mushkin 996580X

Mushkin 996580wX
Mushkin 996580wX

Mushkin 996593X
Mushkin 996593X

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Lexar Media Lança Novos Módulos DDR3
Autor: Cássio Lima Data: 28 de julho de 2008 - 14:47 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.micron.com/about/news/pressrelease.aspx?id=268E5011EF...
A Lexar Media acaba de ampliar sua linha de produtos Crucial Ballistix com o lançamento de dois novos módulos de memória DDR3: DDR3-1333 (PC3-10600; latências 6-6-6-20; alimentação 1,8 V) e DDR3-1800 (PC3-14400; informações sobre latências e alimentação não disponíveis). Ambos os módulos estão disponíveis em capacidades de 1 GB e em kits de 2 GB.
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Walton Chaintech Lança APOGEE GT Blazer DDR3-1800
Autor: Cássio Lima Data: 25 de julho de 2008 - 01:19 H
Categoria: Memória
Mais informações: http://www.chaintech.com.tw/a2111_product_spec.php?serno=406

A Walton Chaintech acaba de lançar o módulo de memória APOGEE GT Blazer DDR3-1800 com suporte a tecnologia EPP 2.0. A tecnologia EPP 2.0 (Enhanced Performance Profiles, Perfis de Desempenho Avançado) permite que os módulos de memória DDR3 negociem com o controlador de memória as melhores latências e o clock mais elevado em que eles podem trabalhar de modo a aumentar o desempenho. Esta tecnologia funciona apenas com os chipsets da nVidia. Este novo módulo da Walton Chaintech possui temporizações de 8-8-8-24, é alimentado com 1,8 V e está disponível em kits de 4 GB.

APOGEE GT Blazer DDR3-1800
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