Spence

Olá, tenho um notebook que utiliza uma memória Ram DDR3 1066 de 2gb apenas, eu estava pensando em pegar um pente de 4gb, gostaria de saber quais características devem ser iguais para que funcione, e se é apenas instalar a memória na placa-mãe ou preciso configurar algo. Especificações segundo o aida64: Propriedades do módulo de memória Nome do módulo SuperTalent L38 12/2010 QBEX Número de série Nenhum Data de fabricação Semana 6 / 2010 Tamanho do módulo 2 GB (1 rank, 8 banks) Tipo de módulo SO-DIMM Tipo de memória DDR3 SDRAM Velocidade da memória DDR3-1333 (667 MHz) Largura do módulo 64 bit tensão do módulo 1.5 V Método de detecção de erros Nenhum Taxa de atualização Normal (7.8 us) Temporização de Memória @ 666 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-107-4-10-5-5-20 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 533 MHz 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) @ 457 MHz 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW) Recursos do módulo de memória Auto Self Refresh (ASR) Não suportado DLL-Off Mode Suportado Extended Temperature Range Suportado Extended Temperature 1X Refresh Rate Não suportado Module Thermal Sensor Não suportado On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Não suportado Partial Array Self Refresh (PASR) Não suportado RZQ/6 Suportado RZQ/7 Suportado Fabricante do módulo de memória Nome da empresa Super Talent Technology Corporation Informação sobre o produto http://www.supertalent.com/products/products.php Parte do chipset: Propriedades de North Bridge North Bridge Intel Ironlake-M IMC Platforma Intel Calpella Tipos de memória suportadas DDR3-800, DDR3-1066 SDRAM Quantidade máxima de memória 8 GB Revisão 02 Tecnologia utilizada 45 nm Controlador de memória Tipo Dual Channel (128 bits) Modo Ativo Single Channel (64 bits) Temporização de Memória CAS Latency (CL) 7T RAS To CAS Delay (tRCD) 7T RAS Precharge (tRP) 7T RAS Active Time (tRAS) 20T Row Refresh Cycle Time (tRFC) 86T Command Rate (CR) 1T RAS To RAS Delay (tRRD) 4T Write Recovery Time (tWR) 8T Read To Read Delay (tRTR) Same Rank: 4T, Different Rank: 7T Read To Write Delay (tRTW) 8T Write To Read Delay (tWTR) 4T, Same Rank: 14T, Different Rank: 6T Write To Write Delay (tWTW) Same Rank: 4T, Different Rank: 7T Read To Precharge Delay (tRTP) 5T Write To Precharge Delay (tWTP) 18T Precharge To Precharge Delay (tPTP) 1T Four Activate Window Delay (tFAW) 16T Write CAS Latency (tWCL) 6T Write RAS To CAS Delay (tRCDW) 7T CKE Min. Pulse Width (tCKE) Low Phase: 4T, High Phase: 3T Refresh Period (tREF) 4160T DRAM Read ODT 3T DRAM Write ODT 7T MCH Read ODT 10T Read Delay Phase Adjust +3T DIMM1 Clock Fine Delay 0T DIMM2 Clock Fine Delay 0T DIMM3 Clock Fine Delay 0T DIMM4 Clock Fine Delay 0T Burst Length (BL) 8 Correção de erros ECC Não suportado ChipKill ECC Não suportado RAID Não suportado ECC Scrubbing Não suportado Slots de memória Slot DRAM nº1 2 GB (DDR3 SDRAM) Controlador gráfico integrado Tipo de controlador gráfico Intel HD Graphics Estado do controlador gráfico Ativado Tamanho do Frame Buffer gráfico 32 MB