Análise do Secundário
A FSP Raider 650 W usa um projeto síncrono, o que significa que os retificadores foram substituídos por transistores MOSFET. Este projeto é usado para aumentar a eficiência da fonte.
A saída de +12 V usa dois transistores MOSFET IPP057N06N, cada um suportando até 45 A a 100° C em modo contínuo ou até 180 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 5,7 mΩ.
Figura 15: Transistores de +12 V
Os transistores das saídas de +5 V e +3,3 V estão localizados no lado da solda na placa do circuito impresso principal e são controlados por outro circuito integrado personalizado (FSP6601). Cada saída usa um par de transistores MOSFET STD95N3LLH6, cada um suportando até 80 A a 25° C ou 61 A a 100° C em modo contínuo ou até 320 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 4,2 mΩ.
Figura 16: Os transistores de +5 V e +3,3 V
Figura 17: Controlador síncrono
As saídas desta fonte de alimentação são monitoradas por um circuito integrado WT7579. Este chip suporta proteções contra sobretensão (OVP), subtensão (UVP), sobrecarga de corrente (OCP) e superaquecimento (OTP). Existem quatro canais de proteção de sobrecarga de corrente de +12 V, mas o fabricante decidiu usar apenas um e, portanto, esta fonte apresenta um projeto de barramento +12 V único.
Figura 18: Circuito de monitoramento
Os capacitores eletrolíticos do secundário também são da Teapo, rotulados a 105° C como de costume.
Figura 19: Capacitores
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