Pentium 4 Prescott

Tecnologias de Dopagem do Silício

Além da diminuição do tamanho das trilhas no interior do chip de 0,13 mícron para 0,09 mícron, há outras diferenças na pastilha de silício do Prescott para o Northwood.

O material usado no dielétrico do processador passou a ser o óxido de carbono dopado (CDO), em vez do óxido de silício (SiO2), que é um material que apresenta menor corrente de fuga, fazendo com que a corrente elétrica seja usada mais eficientemente dentro do processador (com um índice de perda de corrente menor, o processador gera menos calor, por exemplo). Este novo material também reduz a capacitância dos minúsculos terminais internos do processador, o que acelera a comunicação dentro do processador e diminui o calor gerado.

A estrutura cristalina dos transistores do interior do núcleo Prescott passou a ser arranjada de uma maneira chamada silício esticado (strained silicon), que facilita a passagem da corrente elétrica. Para entender isto, observe a Figura 1.

Figura 1: Silício esticado facilita o fluxo de elétrons no interior do processador.

Outra diferença é que o novo núcleo é fabricado com sete camadas de cobre, enquanto que o núcleo anterior usava seis. Nós vemos o corte do núcleo Prescott na Figura 2.

Figura 2: Prescott, sete camadas de fios de cobre e dielétrico de óxido de carbono dopado.