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abelha3

RESOLVIDO Como medir capacitancia parasitas dos transistores

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Alguem  poderia postar , não sei se tenho que medir com o transisor ligado ou não , ou em algum tipo de polarização

muitas pessoas se enteressam por isso mais ate agora ninguém postou sobre o assunto , e pra encontrar na net é difícil

aguemsabe medir corretamente a capacitância parasita dos transistores , Fico Muito agradecido!!            

                 

                          Valeu!!     :eek: :eek:  :eek:  :eek:  :eek:   :D

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Amigo, não conheço nem mesmo um tipo de "picocapacímetro" comercial para esta função, pois estas capacitâncias iriam interferir geralmente na máxima frequência de transição do transistor. Esta frequência máxima está nos datasheets destes componentes.

Se alguém conhece, favor informar.

Acho que a quem interessa mais este parâmetro seriam as indústrias que os fabricam.

---------------------------

Complementando:

Achei tais parâmetros  nos transistores tipo power MOSFETs como este abaixo, e esta capacitância depende ainda da tensão entre Dreno e Fonte (VDS).

 

Gráfico 1, pag. 4

IRF540

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mais em aguns fóruns que não me lembro tinha usuário conversando uns com os outros "dizendo, vamos acabar com a pirataria , e eles informavam dizem no meu capacimetro medi a capacitância deu tanto , e no seu quanto deu?? eu achei que aqui alguém poderia entender, mais se caso alguém quiser postar mais algum comentário ,fique a vontade...


 

Complementando:

Achei tais parâmetros  nos transistores tipo power MOSFETs como este abaixo, e esta capacitância depende ainda da tensão entre Dreno e Fonte (VDS).

 

Gráfico 1, pag. 4

IRF540

 

seria isto , alguém tem algo a comentar sobre isto

 

Ciss Input Capacitance ––– 1960 ––– VGS = 0V

Coss Output Capacitance ––– 250 ––– VDS = 25V

Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 40 ––– pF ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5

EAS Single Pulse Avalanche Energy ––– 700 185 mJ IAS = 16A, L = 1.5mH

 

 

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@albert_emule

Mesmo porque em qualquer circuito tem capacitâncias e indutâncias parasitas entre as trilhas. Então mesmo que meça o componente fora, ao colocá-lo no circuito já seriam outros valores.

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@

 

É os transistores possuem certas capacitâncias que influenciam bastante no funcionamento. Mosfet então tem capacitâncias que em alguns chegam a 6nF.

Transistor Bipolar costuma ser em PF

 

Costuma variar conforme a corrente e freqüência que passam por eles. 

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 só sei que as 3  junções podem ser medidas vou fazer alguns testes com ele usando capacimetro  primeira a junção coletor e emissor

se alguém tem agunha coisa a acrecentar por ;)  :P  :D  favor fazer fiado farofa feijão frango frito fatiado

 

é que estou estudando transmissores RF e não acho muito assusnto na net , estou estudando tudo sobre o transistor

 

yl6ap.png


:eek:  sera que se colocar nesta imagem que postei colocando um microfone na entrada e no coletor do transistor um led ,será que piscaria com onda senoidal sem ser onda quadrada, só para saber se isso oscila mesmo, é essa a minha verdadeira duvida pessoal , e sobre as capacitâncias parasitas

é para eu saber a sua velosidade de frequência do transistor valeu!!! aguardadndo resposta !!! :huh:

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@abelha3

 

Meu amiguinho! :(

Esse tema é mais complicado do que parece.

 

Primeiro há duas situações:

 

1 - Transistores para pequenos sinais. O transistor não satura. O sinal permanece dentro da região linear de operação. Os parâmetros fornecidos pelo fabricante são válidos.

Transistores usados para pequenos sinais possuem alguns MODELOS já consagrados pelo tempo e pela confirmação dos resultados.

Pesquise por parâmetros dos transistores em altas frequências (HF) Modelo Híbrido Pi.

A capacitância depende da tensão Vce, da corrente IC e da temperatura.

O transistor nunca está sozinho no circuito. Em um circuito, o efeito das capacitâncias tanto internas como das externas influenciam a resposta em frequência e sofrem os efeitos da realimentação. Uma forma menos complicada (e bem aproximada) para se conhecer a resposta em frequência do estágio transistorizado é utilizando-se do processo conhecido como Efeito Miller. Isso é mais usado em frequências mais baixas.

Em frequências mais altas (HF, VHF, UHF, ...) deve-se analisar o transistor como modelos em altas frequências. Nestes casos, as tais capacitâncias intrínsecas como Cb'e e Cb'c e resistências Rbb' e  Rce etc, devem ser consideradas.

Na verdade, como as capacitâncias variam com a tensão Vce e a corrente Ie, não há um valor fixo para a capacitância. Os fabricantes, nos casos de transistores para HF, fornecem curvas das impedâncias ou condutâncias (o inverso das impedâncias) em função da frequência utilizada.

Com estas curvas pode-se prever a resposta em frequência dos circuitos. Há dois modos básicos para tal. Um para o caso do circuito ser destinado a circuitos sintonizados, quando se trata de apenas uma frequência básica. Neste caso pode-se analisar o circuito utilizando-se FASORES. Normalmente se usa Fasores para frequências baixas. No caso de frequências mais altas usa-se o método seguinte.

No outro modo, bem mais complicado, analisa-se o circuito utilizando-se a Transformada de Laplace, juntamente com o Diagrama de Bode e/ou a posição das raízes (polos da função) utilizando-se o método do Root-Locus.

Há técnicas de redução da sensibilidade do circuito devido aos parâmetros internos do transistor. Um delas é a Neutralização dos efeitos da realimentação interna no transistor.

 

Para você ter uma ideia do que estou informando, segue um apanhado de equações que fiz em 1975.

 

http://www.4shared.com/zip/mhdSIccEce/Transistor_HF.html

 

 

2 - Transistores usados em comutação. O importante é o tempo de subida (Tr - rise time) e de descida na transição (Tf - fall time) e tempo de propagação.

 

MOR_AL

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VALEU !! MOR !!  EU CURTI!

 

MOR você teria algunha apostilha ensinando em pdf

 

tipo assim como usar circuito tanque com Pi não precisa ser de cálculos complexos não

outra pergunta aonde ou porque deve usar capacitor, é exatamente isso, mas MOR você foi 10 Show de bolas nos cálculos que pena que eu nunca fiz faculdade, caramba queria ter esse conhecimento,  já sei calcular os circuitos RLC  e acredito que estou pronto pra receber este conhecimento só não tenho a fonte certa  MOr !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!                             

               

 

                                          ! :eek: 


Amigo, não conheço nem mesmo um tipo de "picocapacímetro" comercial para esta função, pois estas capacitâncias iriam interferir geralmente na máxima frequência de transição do transistor. Esta frequência máxima está nos datasheets destes componentes.

Se alguém conhece, favor informar.

Acho que a quem interessa mais este parâmetro seriam as indústrias que os fabricam.

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Complementando:

Achei tais parâmetros  nos transistores tipo power MOSFETs como este abaixo, e esta capacitância depende ainda da tensão entre Dreno e Fonte (VDS).

 

Gráfico 1, pag. 4

IRF540

soschip ´so quero saber internamente ,mais os transistores TJB não possuem indutâncias internas neles ´so apenas esse ai que você citou!! então me corrija!! Falou!!

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Desculpe, não entendi. Favor colocar as interrogações nos pontos certos para que eu entenda melhor. Obrigado!

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é  quando  eu nasci o MOR ja estava fazendo  calculo o que posso dizer ? é que tenho que tirar o chapéu     pra você ! kkk deu ate vontade  de  eu excluir  minha conta e ir  cata coquinho ou vender bala  no trem pois  lá  no poste 5 eu tentei  responder  mas não o suficiente portanto  MOR  foi la e  com uma resposta  decidiu  tudo  kkk   foi  show ta de parabéns

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kkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkkk

 

o MOR é fera no calculo , mais ele entedi melhor que agente...!!

 

contudo o que ele disse sobre  capacitâncias intrínsecas como Cb'e e Cb'c e resistências Rbb' e  Rce

 

já parte para a aula de filmes finos de óxidos dopados e etc ...kkkkkkkkkkkkkkkkkkkk Quimica pura :lol:  :D  :P  ;)

 Meu amigo até isso o cara tem que saber vei kkkkkkkkkkk!!


quer saber de uma coisa vou elevar o meu Ki ao máximo !

olha o que achei!

Parámetros del modelo pi
• rbb’= resistencia de dispersión de base
• rb’e = resistencia que representa el efecto de
recombinación de los portadores minoritarios
en la base
• rb’c = resistencia debida al efecto Early o
modulación del ancho de base
• rce = resistencia entre colector y emisor salida
• gmvb’e= corriente de cortocircuito en la salida,
depende de la polarización emisor-base

traduz amigo traduz Rsrs :D  :lol:

CAPTEI A VOSSA mensagem ,AGORA É SÓ FESTA

 www.youtube.com/watch?v=ceU4ANZKdOM

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