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Ricardo Rodrigues_727868

Memoria para modelo notebook Samsung NP300E4ABD1BR

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Sou novo aqui no site e queria tirar uma duvida quero comprar um pente de 4gb  pro meu note mas nao sei qual memoria comprar ou se devo mesmo comprar uma original pois vi a diferença da original pra outras e de 100 reais sei q original seria melhor mas queria uma mais barata, vi kingston, patriot e uma tal de smart. 

 

Vou postar os links aq 

 

Kingston

 

https://www.balaodainformatica.com.br/Produto/53385/Mem%C3%B3ria-de-4GB-DDR3-para-Notebook---Kingston-KVR13S9S8_4-Frequ%C3%AAncia-1333MHz-8-bancos-internos-independentes-Reset-Asincr%C3%B4nico

 

Patriot

 

http://www.kabum.com.br/produto/23175/memoria-patriot-4gb-1333mhz-ddr3-p-notebook-pc10666-psd34g13332s-

 

Smart

 

http://produto.mercadolivre.com.br/MLB-595424731-memoria-p-notebook-4gb-ddr3-pc3-12800-1600mhz-samsung-_JM

 

E vou postar tb a original da samsung

 

http://www.comclickshop.com.br/memoria-ram/2053-memoria-ram-4gb-ddr3-para-notebook-netbook-e-ultrabook-samsung.html

 

E tb uma duvida caso eu compre de outra marca se pode gerar incompatibilidade

 

Segue os dados da configuração do meu notebook

--------[ Processador ]-------------------------------------------------------------------------------------------------    Propriedades da CPU:      Tipo de processador                               DualCore , 2500 MHz (25 x 100)      Alias da CPU                                      Sandy Bridge      Conjunto de instruções                            x86, x86-64, MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, SSE4.1, SSE4.2, AES, AVX      Velocidade de clock original                      2500 MHz      Código de cache L1                                32 KB per core      Dados de cache L1                                 32 KB per core      Cache L2                                          256 KB per core  (On-Die, ECC, Full-Speed)      Cache L3                                          3 MB  (On-Die, ECC, Full-Speed)    Multi CPU:      CPU #1                                            Intel(R) Core(TM) i5-2450M CPU @ 2.50GHz, 2494 MHz      CPU #2                                            Intel(R) Core(TM) i5-2450M CPU @ 2.50GHz, 2494 MHz      CPU #3                                            Intel(R) Core(TM) i5-2450M CPU @ 2.50GHz, 2494 MHz      CPU #4                                            Intel(R) Core(TM) i5-2450M CPU @ 2.50GHz, 2494 MHz    Utilização da CPU:      CPU 1 / Núcleo 1 / Unidade HTT 1                  50 %      CPU 1 / Núcleo 1 / Unidade HTT 2                  0 %      CPU 1 / Núcleo 2 / Unidade HTT 1                  0 %      CPU 1 / Núcleo 2 / Unidade HTT 2                  25 %--------[ Placa mãe ]---------------------------------------------------------------------------------------------------    Propriedades da Placa Mãe:      ID da Placa Mãe                                   <DMI>      Nome da Placa Mãe                                 Samsung 300E4A/300E5A/300E7A/3430EA/3530EA    Propriedades do Bus principal:      Tipo de Bus                                       Intel QPI      Clock real                                        100 MHz      Clock efetivo                                     100 MHz--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------  [ DIMM3: Samsung M471B5273CH0-CH9 ]    Propriedades do módulo de memória:      Nome do módulo                                    Samsung M471B5273CH0-CH9      Número de série                                   A000EC18h (418119840)      Data de fabricação                                Semana 31 / 2012      Tamanho do módulo                                 4 GB (2 ranks, 8 banks)      Tipo de módulo                                    SO-DIMM      Tipo de memória                                   DDR3 SDRAM      Velocidade da memória                             DDR3-1333 (667 MHz)      Largura do módulo                                 64 bit      Método de detecção de erros                       Nenhum      Fabricante da DRAM                                Samsung    Temporização de Memória:      @ 609 MHz                                         8-8-8-22  (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)      @ 533 MHz                                         7-7-7-20  (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)      @ 457 MHz                                         6-6-6-17  (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)      @ 380 MHz                                         5-5-5-14  (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3  (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)    Recursos do módulo de memória:      Auto Self Refresh                                 Não suportado      Extended Temperature Range                        Suportado      Extended Temperature Refresh Rate                 Não suportado      On-Die Thermal Sensor Readout                     Não suportado    Fabricante do módulo de memória:      Nome da empresa                                   Samsung      Informação sobre o produto                        http://www.samsung.com/global/business/semiconductor
Editado por Ricardo Rodrigues_727868

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