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Victor_Silva173

Dá para fazer um inversor com QUALQUER MOSFET??

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Eu tinha um Mosfet já para fazer um inversor, só que estava queimado, aí encontrei outros, só que com numeração diferente, quero saber se dá para fazer com os mosfet que tenho:

GFP50N03

FDP7030BL

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Boa tarde

 

@Bcpetronzio @Mestre88 poderia auxiliar nosso colega?

 

Att Ejf

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Sim, é possível desde que o trafo não consuma mais corrente que os FETs podem fornecer...

 

PS: Se você colocar o esquema desse inversor, vai facilitar para os colegas te ajudarem...

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Além disso que o @Bcpetronzio disse, é interessante que os mosfets sejam iguais. 

Mas no seu caso não tem problema, apesar da numeração diferente esses mosfets tem características bem parecidas. 

 

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Seleção de mosfet para chaveamento de carga indutiva:

velocidade: o mosfet pela construção capacitiva tende a ser lerdo. Quando mais baixa a resistencia Rds mais lerdo se torna. Se tiver que utilizar mosfets de alta tensão (250V, 600V) os problemas de Rds e velocidade se agravam. 60V ou menos costumam ser rápidos e com baixo Rds. Na frequência escolhida, preocupe-se com a velocidade se a soma dos tempos de subida e descida ficar superior a 5% do tempo de chaveamento. Vai aquecer um bocado só pela falta de velocidade, fora o aquecimento por Rds..

Rds: é óbvio que quanto menor menos aquece.

Vds: o inferno da carga indutiva é o desligamento. Surgem picos de tensão destrutivos. Normalmente a tensão do transistor é no mínimo 1,5X a tensão de trabalho.

Obedecidos os 3 critérios acima, a mistura fica esquisita de ver mas funciona tão bem quanto ter transistores iguais.

Boa sorte nos seus projetos.

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Em 21/02/2018 às 03:06, Sérgio Lembo disse:

Seleção de mosfet para chaveamento de carga indutiva:

velocidade: o mosfet pela construção capacitiva tende a ser lerdo. Quando mais baixa a resistencia Rds mais lerdo se torna.

Para estes eu uso força bruta no acionamento. 

 

Naquele meu inversor eu uso mosfets IRF1404

Eles tem 0.004 Ohms de RDS-on. Para acionar o gate eu uso resistores de 1 Ohms e um driver que tem capacidade para 2 amperes, um driver muito rápido. 

 

A corrente nos gates passam de 1A. 

A velocidade de acionamento fica muito veloz. 

 

 

 

Em 21/02/2018 às 03:06, Sérgio Lembo disse:

 

 

 

Vds: o inferno da carga indutiva é o desligamento. Surgem picos de tensão destrutivos. Normalmente a tensão do transistor é no mínimo 1,5X a tensão de trabalho.

 

 

As vezes uma ponte H simplifica isso.

 

Este print eu havia feito para explicar outro circuito eletrônico. Um carregador de bateria que usa a própria bobina do trafo que chaveia o inversor, para carregar a bateria.  

 

Mas também serve para explicar este fenômeno que você citou.

A energia do indutor sempre volta para a entrada de alimentação com uma ponte H. 

image.png.5e2736f2af4bfa4b606ae906e43d35d2.png

 

 

 

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11 horas atrás, albert_emule disse:

Para estes eu uso força bruta no acionamento. 

 

Naquele meu inversor eu uso mosfets IRF1404

Eles tem 0.004 Ohms de RDS-on. Para acionar o gate eu uso resistores de 1 Ohms e um driver que tem capacidade para 2 amperes, um driver muito rápido. 

 

A corrente nos gates passam de 1A. 

A velocidade de acionamento fica muito veloz. 

E dá-lhe pancada! :atirador: Só não vá com muita sede ao pote. :exorcize:

Sabemos que quanto mais baixo o Rg, maior Vgs e mais valente o driver isso aparece na resposta. Seguem 2 matérias de fabricante de transistor, um sobre o impacto do Rg e outro sobre o impacto do Vgs:

http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/80/93/d2/c6/92/28/4e/98/DM00068312.pdf/files/DM00068312.pdf/jcr:content/translations/en.DM00068312.pdf

 

http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/68/47/c0/a9/7b/02/4a/cd/CD00283974.pdf/files/CD00283974.pdf/jcr:content/translations/en.CD00283974.pdf

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18 minutos atrás, Sérgio Lembo disse:

E dá-lhe pancada! :atirador: Só não vá com muita sede ao pote. :exorcize:

Sabemos que quanto mais baixo o Rg, maior Vgs e mais valente o driver isso aparece na resposta. Seguem 2 matérias de fabricante de transistor, um sobre o impacto do Rg e outro sobre o impacto do Vgs:

http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/80/93/d2/c6/92/28/4e/98/DM00068312.pdf/files/DM00068312.pdf/jcr:content/translations/en.DM00068312.pdf

 

http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/68/47/c0/a9/7b/02/4a/cd/CD00283974.pdf/files/CD00283974.pdf/jcr:content/translations/en.CD00283974.pdf

 

Estou ciente que comutação muito rápida causa umas ressonâncias nas trilhas e uns ruídos que causa aquecimentos e perdas.

 

Exemplo:

image.png.98f6aed44f00f91e150d0514c52b6ce9.png

 

 

Mas eu fiz um tipo de layout que os mosfets ficaram com circuitos o mais próximo possível e também circuitos em linhas retas.

8uF de capacitores multicamadas como filtro para barrar estas ressonâncias. São capacitores de 680nF em pontos específicos que somados dão 8uF.

 

E dei sorte, talvez. Ficou bom de primeira. 

Um dia destes eu fiz conduzir 270 amperes. 

A bateria nem suportou. Arriou. 

 

Aquele layout ficou perfeito. 

Tão bom que vou usar o mesmo em outros circuitos de ponte H. 

 

 

 

 

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