Transistor de Potência BJT

[The Gu]

Bom Dia

Estou começando a trabalhar com transistor de potência do tipo BJT, e foi levatado a seguinte questão referente a corrente que circula pela base desse transistor:

- Por que não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB?

Com pouco conhecimento que tenho nessa área, devo considerar que a potência mal dissipada influência em IC? Pois nesse caso, a temperatura do componente tende a subir, com isso o ganho tende a reduzir? 

Como disse, não tenho grande conhecimento nessa área de potência, por isso a questão levantada.

Agradeço quem puder ajudar.

[.if]

Ululantemente óbvio, temperatura alta é inimiga de qualquer semicondutor. E sim ela altera as caracteŕisticas elétricas dele. Pode ser tanto o hfe como, vce, eficiência em alta freq e todos os etc imagináveis.

18 minutos atrás, The Gu disse:

não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB

e porquê não? Tal fórmula é uma boa aproximação teórica da prática. Importante também é ver na folha de dados em qual condição ela é válida. Agora pra regime ac entram outras entidades sinistras na parada. Domá-las a seu favor com precisão e eficiência absoluta não é pra meros mortais como nós. Outra que veio fazer companhia a elas: a falsificação generalizada... aí o bixo pega ...

Por estas e outras que à esta altura da existência pendo pro lado digital. p.ex. amplificadores classe D. Estude-os também.

abç

[albert_emule]

2 horas atrás, The Gu disse:

Bom Dia

Estou começando a trabalhar com transistor de potência do tipo BJT, e foi levatado a seguinte questão referente a corrente que circula pela base desse transistor:

- Por que não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB?

Com pouco conhecimento que tenho nessa área, devo considerar que a potência mal dissipada influência em IC? Pois nesse caso, a temperatura do componente tende a subir, com isso o ganho tende a reduzir? 

Como disse, não tenho grande conhecimento nessa área de potência, por isso a questão levantada.

Agradeço quem puder ajudar.

 

 

Curioso que você citou sobre transistor de potência.

Isso me remeteu aos velhos tempos dos circuitos de potência conversores de tensão movidos a transistor bipolar. 

Já vi uns inversores de tensão senoidais de 4000 watts operando com transistores bipolares

 

Mas hoje em dia está em desuso em eletrônica de potência.

Tem-se usado muito os IGBTs em modo PWM e os mosfets. 

[The Gu]

Em 20/09/2019 às 12:19, Isadora Ferraz disse:

Ululantemente óbvio, temperatura alta é inimiga de qualquer semicondutor. E sim ela altera as caracteŕisticas elétricas dele. Pode ser tanto o hfe como, vce, eficiência em alta freq e todos os etc imagináveis.

e porquê não? Tal fórmula é uma boa aproximação teórica da prática. Importante também é ver na folha de dados em qual condição ela é válida. Agora pra regime ac entram outras entidades sinistras na parada. Domá-las a seu favor com precisão e eficiência absoluta não é pra meros mortais como nós. Outra que veio fazer companhia a elas: a falsificação generalizada... aí o bixo pega ...

Por estas e outras que à esta altura da existência pendo pro lado digital. p.ex. amplificadores classe D. Estude-os também.

abç

Entendi...Pois então, a questão sobre a fórmula utilizada em transistor de junção bipolar, como por exemplo, BC 337,  548, 558, etc...foi levantada em aula pelo professor que ministra a cadeira, sendo ele, que teria duas explicações para não poder utilizar tal fórmula, dessa forma, por isso me remeteu a questão de temperatura, onde má dissipada a tendência que o ganho do semicondutor caia, acredito que essa seja uma provável causa, no entanto, não sei responder a outra alternativa..

adicionado 1 minuto depois

Em 20/09/2019 às 13:47, albert_emule disse:

 

 

Curioso que você citou sobre transistor de potência.

Isso me remeteu aos velhos tempos dos circuitos de potência conversores de tensão movidos a transistor bipolar. 

Já vi uns inversores de tensão senoidais de 4000 watts operando com transistores bipolares

 

Mas hoje em dia está em desuso em eletrônica de potência.

Tem-se usado muito os IGBTs em modo PWM e os mosfets. 

Realmente, eu como novato na área, difícil vou ver alguém comentando algum inversor com transistor de potência...

[MOR_AL]

Em 20/09/2019 às 11:40, The Gu disse:

Bom Dia

Estou começando a trabalhar com transistor de potência do tipo BJT, e foi levatado a seguinte questão referente a corrente que circula pela base desse transistor:

- Por que não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB?

Até onde eu sei, pode-se calcular a corrente de base sim.

É claro que esse cálculo não é exato, mas sim estimado.

Pode-se complicar o cálculo o quanto desejarmos, mas mesmo assim continuaria sendo uma aproximação.

São tantos parâmetros que influenciam na corrente NA base, que os resultados são estimados.

Para pequenos sinais, a corrente depende do valor da corrente de coletor (Ic), da corrente de fuga (Icb0), da tensão entre base e coletor (Vbc), da temperatura ambiente, mais precisamente na temperatura da junção PN (Tj), da frequência do sinal existente (f), etc.

Para cada caso vale o bom-senso.

Se estiver usando o transistor para pequenos sinais, considerando-se apenas a corrente de coletor e o datasheet, já seria suficiente para se obter o hfe. Não que resolva o problema de polarização, mas serve para uma boa aproximação. Agora, considerando-se que o mesmo transistor é fabricado por diversos fabricantes, o valor calculado tende a ter um desvio padrão bem grande. Mesmo os transistores fabricados pelo mesmo fabricante, já possui uma boa variação do hfe. É por isso que um bom projeto de circuito deve minimizar a influência dos parâmetros do transistor. Em circuitos lineares usa-se realimentação negativa, restringindo a influência da polarização (Vce x Ic) e o ganho de tensão (Av), ou de corrente (Ai), para os parâmetros dos componentes, que possuem menor desvio do seu valor no processo de fabricação, como os resistores e até mesmo os capacitores. Em circuitos de chaveamento considera-se o hfe mínimo, que o fabricante fornece e mesmo assim, ainda considera-se um hfe menor como garantia de saturação.

Então acho que o problema foi equacionado a contento. 

Pode-se calcular sim o hfe dos transistores, mas como calcular e usar esta informação é que é o "pulo do gato".

Bons estudos.

MOR_AL