Ir ao conteúdo
  • Cadastre-se
The Gu

Transistor de Potência BJT

Posts recomendados

Bom Dia

Estou começando a trabalhar com transistor de potência do tipo BJT, e foi levatado a seguinte questão referente a corrente que circula pela base desse transistor:

- Por que não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB?

Com pouco conhecimento que tenho nessa área, devo considerar que a potência mal dissipada influência em IC? Pois nesse caso, a temperatura do componente tende a subir, com isso o ganho tende a reduzir? 

Como disse, não tenho grande conhecimento nessa área de potência, por isso a questão levantada.

Agradeço quem puder ajudar.

Compartilhar este post


Link para o post
Compartilhar em outros sites

Ululantemente óbvio, temperatura alta é inimiga de qualquer semicondutor. E sim ela altera as caracteŕisticas elétricas dele. Pode ser tanto o hfe como, vce, eficiência em alta freq e todos os etc imagináveis.

18 minutos atrás, The Gu disse:

não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB

e porquê não? Tal fórmula é uma boa aproximação teórica da prática. Importante também é ver na folha de dados em qual condição ela é válida. Agora pra regime ac entram outras entidades sinistras na parada. Domá-las a seu favor com precisão e eficiência absoluta não é pra meros mortais como nós. Outra que veio fazer companhia a elas: a falsificação generalizada... aí o bixo pega ...

Por estas e outras que à esta altura da existência pendo pro lado digital. p.ex. amplificadores classe D. Estude-os também.

abç

Compartilhar este post


Link para o post
Compartilhar em outros sites
2 horas atrás, The Gu disse:

Bom Dia

Estou começando a trabalhar com transistor de potência do tipo BJT, e foi levatado a seguinte questão referente a corrente que circula pela base desse transistor:

- Por que não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB?

Com pouco conhecimento que tenho nessa área, devo considerar que a potência mal dissipada influência em IC? Pois nesse caso, a temperatura do componente tende a subir, com isso o ganho tende a reduzir? 

Como disse, não tenho grande conhecimento nessa área de potência, por isso a questão levantada.

Agradeço quem puder ajudar.

 

 

Curioso que você citou sobre transistor de potência.

Isso me remeteu aos velhos tempos dos circuitos de potência conversores de tensão movidos a transistor bipolar. 

Já vi uns inversores de tensão senoidais de 4000 watts operando com transistores bipolares

 

Mas hoje em dia está em desuso em eletrônica de potência.

Tem-se usado muito os IGBTs em modo PWM e os mosfets. 

Compartilhar este post


Link para o post
Compartilhar em outros sites
Em 20/09/2019 às 12:19, Isadora Ferraz disse:

Ululantemente óbvio, temperatura alta é inimiga de qualquer semicondutor. E sim ela altera as caracteŕisticas elétricas dele. Pode ser tanto o hfe como, vce, eficiência em alta freq e todos os etc imagináveis.

e porquê não? Tal fórmula é uma boa aproximação teórica da prática. Importante também é ver na folha de dados em qual condição ela é válida. Agora pra regime ac entram outras entidades sinistras na parada. Domá-las a seu favor com precisão e eficiência absoluta não é pra meros mortais como nós. Outra que veio fazer companhia a elas: a falsificação generalizada... aí o bixo pega ...

Por estas e outras que à esta altura da existência pendo pro lado digital. p.ex. amplificadores classe D. Estude-os também.

abç

Entendi...Pois então, a questão sobre a fórmula utilizada em transistor de junção bipolar, como por exemplo, BC 337,  548, 558, etc...foi levantada em aula pelo professor que ministra a cadeira, sendo ele, que teria duas explicações para não poder utilizar tal fórmula, dessa forma, por isso me remeteu a questão de temperatura, onde má dissipada a tendência que o ganho do semicondutor caia, acredito que essa seja uma provável causa, no entanto, não sei responder a outra alternativa..

adicionado 1 minuto depois
Em 20/09/2019 às 13:47, albert_emule disse:

 

 

Curioso que você citou sobre transistor de potência.

Isso me remeteu aos velhos tempos dos circuitos de potência conversores de tensão movidos a transistor bipolar. 

Já vi uns inversores de tensão senoidais de 4000 watts operando com transistores bipolares

 

Mas hoje em dia está em desuso em eletrônica de potência.

Tem-se usado muito os IGBTs em modo PWM e os mosfets. 

Realmente, eu como novato na área, difícil vou ver alguém comentando algum inversor com transistor de potência...

Compartilhar este post


Link para o post
Compartilhar em outros sites
Em 20/09/2019 às 11:40, The Gu disse:

Bom Dia

Estou começando a trabalhar com transistor de potência do tipo BJT, e foi levatado a seguinte questão referente a corrente que circula pela base desse transistor:

- Por que não pode-se calcular a corrente de base de um transistor de potência através da fórmula: hfe = IC/IB?

Até onde eu sei, pode-se calcular a corrente de base sim.

É claro que esse cálculo não é exato, mas sim estimado.

Pode-se complicar o cálculo o quanto desejarmos, mas mesmo assim continuaria sendo uma aproximação.

São tantos parâmetros que influenciam na corrente NA base, que os resultados são estimados.

Para pequenos sinais, a corrente depende do valor da corrente de coletor (Ic), da corrente de fuga (Icb0), da tensão entre base e coletor (Vbc), da temperatura ambiente, mais precisamente na temperatura da junção PN (Tj), da frequência do sinal existente (f), etc.

Para cada caso vale o bom-senso.

Se estiver usando o transistor para pequenos sinais, considerando-se apenas a corrente de coletor e o datasheet, já seria suficiente para se obter o hfe. Não que resolva o problema de polarização, mas serve para uma boa aproximação. Agora, considerando-se que o mesmo transistor é fabricado por diversos fabricantes, o valor calculado tende a ter um desvio padrão bem grande. Mesmo os transistores fabricados pelo mesmo fabricante, já possui uma boa variação do hfe. É por isso que um bom projeto de circuito deve minimizar a influência dos parâmetros do transistor. Em circuitos lineares usa-se realimentação negativa, restringindo a influência da polarização (Vce x Ic) e o ganho de tensão (Av), ou de corrente (Ai), para os parâmetros dos componentes, que possuem menor desvio do seu valor no processo de fabricação, como os resistores e até mesmo os capacitores. Em circuitos de chaveamento considera-se o hfe mínimo, que o fabricante fornece e mesmo assim, ainda considera-se um hfe menor como garantia de saturação.

Então acho que o problema foi equacionado a contento. 

Pode-se calcular sim o hfe dos transistores, mas como calcular e usar esta informação é que é o "pulo do gato".

Bons estudos.

MOR_AL

Compartilhar este post


Link para o post
Compartilhar em outros sites

Crie uma conta ou entre para comentar

Você precisar ser um membro para fazer um comentário

Criar uma conta

Crie uma nova conta em nossa comunidade. É fácil!

Crie uma nova conta

Entrar

Já tem uma conta? Faça o login.

Entrar agora





Sobre o Clube do Hardware

No ar desde 1996, o Clube do Hardware é uma das maiores, mais antigas e mais respeitadas publicações sobre tecnologia do Brasil. Leia mais

Direitos autorais

Não permitimos a cópia ou reprodução do conteúdo do nosso site, fórum, newsletters e redes sociais, mesmo citando-se a fonte. Leia mais

×
×
  • Criar novo...

GRÁTIS: minicurso “Como ganhar dinheiro montando computadores”

Gabriel TorresGabriel Torres, fundador e editor executivo do Clube do Hardware, acaba de lançar um minicurso totalmente gratuito: "Como ganhar dinheiro montando computadores".

Você aprenderá sobre o quanto pode ganhar, como cobrar, como lidar com a concorrência, como se tornar um profissional altamente qualificado e muito mais!

Inscreva-se agora!