@Shaman93
Cara, eu juro por tudo que é mais sagrado que não queria chegar a esse ponto...
Mas desafio é desafio e o cara feriu meus brios acadêmicos!
O quociente de temperatura entre o die e o case do MOSFET NTMFS4C06N ON Semiconductor, ou Junction−to−Case (Drain) é de 4.1 ºC/W, segundo datasheet do fabricante.
Conforme a Intel em "IC Packages Performance Characteristics: Databook, Ch 4" , o quociente Junction−to−Case θjC é dado por:
θjC = (Tj - Tc) / P
onde:
θjC = quociente die / case (envelope)
Tj = temperatura do die;
tc = temperatura do involucro
P = potencia dissipada em Watts.
Então precisamos achar o potência dissipada pelo mosfet para o meu teste, com temperatura externa do MOSFET de 55ºC e temperatura ambiente de 25ºC.
Calculando a Potência Dissipada com base na temperatura externa medida:
A transferência de calor de um chip para o ar, sem aparato adicional de refrigeração, se dá por duas formas: convecção e irradiação. A disciplina Fenômenos de Transporte ennsina que a energia total transferida é:
q" = q'conv + q'rad
Pela lei de Newton de arrefecimento, temos a seguinte para q'conv:
qc = hc * A * (Ts-Ta)
onde:
qc = Fluxo de calor convectivo de uma superfície para o ambiente (W)
A = 6x6mm = 3,6*10E-5m2 = Área da superfície (m2)
Ts = 55ºC = Temperatura da superfície (ºC)
Ta = 25ºC = Temperatura do ambiente (ºC)
hc = 20 W/m2.C (*) = Coeficiente convectivo de transferência de calor médio(W/m2C)
(*) Para gases hc varia entre 5 e 25. Considerando um gabinete bem ventilado, 20 está razoável.
Então:
qc = 20 * 3.6*10E-5 * (30)
qc = 0.0216 W
Para radiação, temos :
qr = ϵ. σ . A * (t1^4 - t2^4)* F12
Onde:
qr = Quantidade de calor transferido por irradiação (W)
ϵ = 0.6 = Emissividade (0 < e < 1)
σ = Constante Stefan-Boltzmann, 5.67 X 10-8 (W/m2 K^4)
A = 3,6*10E-5m2 = Área (m2)
F12 = Fator de formato entre as superfícies 1 e 2
T1, T2 = 328.14K e 298.15K = Temperaturas de superfícies (Kelvin)
qr = 0.60 * (5.67E-8) * (3.6E-5) * (328.15^4 - 298.15^4) * 1
qr = 0,024W
qt = qc + qr = 0.0216W + 0.024W
qt = 0.0456W
Calculando a temperatura interna:
Junction−to−Case (Drain) = 4.1 C/W (NTMFS4C06N data sheet ON Semiconductor)
θjC = (Tj - Tc) / P
θjC * P = (Tj - Tc)
Tj = θjC * P + Tc
Tj = 4.1 * 0.0456 + 55ºC
Tj = 55,187ºC
c.q.d.
ENTÃO, para o citado MOSFET, quando a temperatura externa for 55ºC a temperatura interna será 55,187ºC, observado a temperatura ambiente de 25ºC e gabinete bem ventilado. Em situação diferente da acima descrita será necessário recalcular os valores de potência dissipada e Tj.
Então, medir a temperatura externa é praticamente a mesma coisa que medir a temperatura interna.
Então, quando você chamar o outro de "errado" e de "mal educado", avalie se você tem base adequada para sustentar suas proposições. No caso, você não tem nenhuma.
Se fui grosso com o colega, eu já havia me desculpado e, salvo melhor juizo, estamos de boa um com o outro.
Agora, *****, que implicância do K@R@i com meu termômetro infravermelho !!!
Querido Rafael Coelho, comece a colocar a temperatura dos VRMs nos seus reviews, porque fica um monte de gente cheia de achismo, metendo o pau sem razão em produtos de qualidade adequada. Do mesmo jeito que tem placas de entrada que o cidadão quer por CPU top (tipo AMD 2700X em mobo A320), mas ninguem tem como justificar pra ele que isso não vai prestar.
Abraço a todos.