Análise do Secundário
A LEPA G850-MAS usa um projeto síncrono, significando que os retificadores foram substituídos por transistores MOSFET. Além disso, esta fonte utiliza um projeto DC-DC, o que significa que ela é basicamente uma fonte de +12 V com as saídas de +5 V e +3,3 V sendo produzidas por duas fontes de alimentação menores conectadas ao barramento de +12 V principal. Ambos os projetos são usados para aumentar a eficiência da fonte.
A saída de +12 V usa cinco transistores MOSFET IPD031N06L3 G, cada um suportando até 100 A a 100° C em modo contínuo ou até 400 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 3,1 mΩ. Esses transistores são controlados por um circuito integrado SP6019 e estão localizados em uma placa menor conectada à placa de circuito impresso principal.
Figura 16: Os transistores de +12 V
Os conversores DC-DC estão localizados na mesma placa de circuito impresso que o sistema de cabeamento modular. Ambos são gerenciados por um controlador PWM APW7159, com cada saída usando dois transistores MOSFET AP72T03GH, cada um suportando até 63 A a 25° C ou 44 A a 100° C em modo contínuo ou até 190 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 9 mΩ
Figura 17: Os conversores DC-DC
Figura 18: Os conversores DC-DC
As saídas desta fonte são monitoradas por um circuito integrado WT7502, que suporta apenas proteções contra sobretensão (OVP) e subtensão (UVP).
Figura 19: Circuito de monitoramento
Esta fonte utiliza uma combinação de capacitores eletrolíticos japoneses, da Chemi-Com, e capacitores sólidos para a filtragem de suas saídas. Ver Figura 20.
Figura 20: Capacitores
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