

Análise do Secundário
Esta fonte usa um projeto síncrono, onde os diodos foram substituídos por transistores para aumentar a eficiência. Além disso, a fonte testada utiliza um projeto DC-DC no secundário, o que significa que ela é basicamente uma fonte de +12 V com as saídas de +5 V e +3,3 V sendo produzidas por duas fontes de alimentação chaveadas separadas, conectadas à saída principal de +12 V. Ambos os projetos são usados para aumentar a eficiência.
A saída de +12 V usa quatro transistores MOSFET IPP023N04N, cada um suportando até 90 A a 100° C em modo contínuo, ou até 400 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS (on) de apenas 2,3 mΩ.
Figura 14: Os transistores de +12 V
As fontes de +5 V e +3,3 V estão localizadas em duas placas de circuito impressos individuais, e cada uma usa um controlador PWM APW7073 e quatro transistores MOSFET STD85N3LH5, cada um capaz de aguentar até 80 A a 25° C ou 55 A a 100° C em modo contínuo, ou até 320 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) de 4,2 mΩ.
Figura 15: Um dos conversores DC-DC
Figura 16: Um dos conversores DC-DC
Esta fonte usa um circuito de monitoramento PS232S, que suporta proteções contra sobretensão (OVP), subtensão (UVP) e sobrecarga de corrente (OCP). Há quatro canais de proteção contra sobrecarga de corrente de +12 V disponíveis, mas o fabricante decidiu usar apenas um deles, fazendo com que esta fonte tenha apenas um barramento de +12 V.
Figura 17: Circuito de monitoramento
Os capacitores eletrolíticos usados no secundário também são japoneses, da Chemi-Con, e estão rotulados a 105° C, como de costume.
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