Análise do Secundário
Esta fonte usa um projeto síncrono, o que significa que os retificadores Schottky foram substituídos por transistores MOSFET de modo a aumentar a eficiência. Além disso, esta fonte usa um projeto DC-DC, o que significa que ela é basicamente uma fonte de +12 V com as saídas de +5 V e +3,3 V sendo geradas a partir de duas fontes chaveadas separadas conectadas ao barramento de +12 V.
A saída de +12 V é produzida por três transistores MOSFET AOT480, cada um capaz de fornecer até 180 A a 25° C ou até 134 A a 100º em modo contínuo, ou até 500 A a 25° C e modo pulsante, com um RDS(on) de apenas 4,5 mΩ.
Figura 14: Transistores de +12 V.
As saídas de +5 V e +3,3 V são geradas por duas fontes de alimentação pequenas instaladas em placas de expansão conectadas no barramento de +12 V. Cada uma dessas fontes é composta de quatro transistores MOSFET IPD060N03L (50 A a 100° C, resistência de 6 mΩ) e um controlador PWM APW7073.
Figura 15: Um dos conversores DC-DC.
Esta fonte usa um circuito de monitoramento PS224, que suporta proteções contra sobretensão (OVP), subtensão (UVP) e sobrecarga de corrente (OCP). O circuito de proteção contra sobrecarga de corrente tem quatro canais, um para a saída de +3,3 V, um para a saída de +5 V e dois para a saída de +12 V. Mas nesta fonte apenas um canal OCP de +12 V é usado, já que ela tem apenas um barramento.
Figura 16: Circuito de monitoramento.
Os capacitores eletrolíticos do secundário também são japoneses da Chemi-Com e são rotulados a 105° C.
Uma curiosidade que notamos foi a “gambiarra” que o fabricante fez para incluir um capacitor eletrolítico extra ao barramento de +12 V. Veja na Figura 17.
Figura 17: Capacitor eletrolítico adicional para o barramento de +12 V.
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