Análise do Secundário
O secundário dos novos modelos Toughpower XT é diferente em dois aspectos. Primeiro, como mencionamos, ele utiliza um projeto DC-DC, o que significa que a fonte de alimentação é basicamente uma unidade de +12 V com as saídas de +5 V e +3,3 V sendo produzidas por duas pequenas fontes de alimentação chaveadas instaladas na saída de +12 V. E o barramento principal de +12 V utilizam um projeto síncrono, nome dado quando os retificadores são substituídos por transistores MOSFET para aumentar a eficiência.
Cinco transistores MOSFET IPP057N08N3 são usados no barramento de +12 V principal, três responsáveis pela retificação direta e dois responsáveis pela porção “giro livre” da retificação. Cada transistor pode fornecer até 80 A a 100° C em modo contínuo ou até 320 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) de 5,4 mΩ, que é extremamente baixo (o que é ótimo, já que quanto menor este número maior é a eficiência).
Figura 13: Transistores de +12 V.
As saídas de +5 V e +3,3 V são produzidas por duas pequenas placas de circuito impresso instaladas no barramento de +12 V principal. Cada placa tem uma pequena fonte chaveada baseada em um controlador PWM APW7073 e quatro transistores MOSFET ME90N03, cada um capaz de suportar até 60 A a 25° C ou 47 A a 70° C em modo contínuo ou até 240 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 9 mΩ. Cada placa tem cinco capacitores sólidos.
Figura 14: Um dos dois conversores DC-DC.
Figura 15: Um dos dois conversores DC-DC.
Esta fonte usa um circuito integrado de monitoramento PS229, que é o responsável pelas proteções da fonte. Infelizmente não há informações sobre este circuito no site do fabricante.
Figura 16: Circuito de monitoramento.
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