Desempenho com grande quantidade de dados
Uma das principais desvantagens nas memórias Flash TLC é a menor velocidade de escrita. A maioria dos SSDs atuais compensa isto incluindo no chip controlador uma pequena quantidade de memória Flash SLC, bem mais rápida, que serve como cache de escrita. Assim, nestes modelos, operações de escrita de pequenas quantidades de dados não sofrem redução de velocidade, pois os dados são gravados na memória SLC e posteriormente, quando a unidade está ociosa, transferidos para as memórias TLC, mas gravações de um grande volume de dados (maior do que o cache SLC) está sujeita a redução drástica de velocidade.
Para verificarmos se o modelo sofre com este problema, utilizamos o CrystalDiskMark 6, com três repetições e arquivo de teste de 32 GB com dados aleatórios. Vamos aos resultados.
No teste de leitura sequencial com profundidade de fila igual a 32, o WD Black SN750 de 500 GB foi 4% mais rápido do que o Samsung 960 EVO de 500 GB.
Já no teste de escrita sequencial com profundidade de fila igual a 32, o WD Black SN750 de 500 GB foi 66% mais rápido do que o Samsung 960 EVO de 500 GB.
No teste de leitura com blocos de 4 kiB, oito threads e profundidade de fila igual a oito, o WD Black SN750 de 500 GB foi 17% mais lento do que o Samsung 960 EVO de 500 GB.
No teste de escrita com blocos de 4 kiB, oito threads e profundidade de fila igual a oito, o WD Black SN750 de 500 GB foi 50% mais rápido do que o Samsung 960 EVO de 500 GB.
No teste de leitura com blocos de 4 kiB e profundidade de fila 32, o WD Black SN750 de 500 GB foi similar ao Samsung 960 EVO de 500 GB.
No teste de escrita com blocos de 4 kiB e profundidade de fila igual a 32, o WD Black SN750 de 500 GB foi 8% mais lento do que o Samsung 960 EVO de 500 GB.
Já no teste de leitura aleatória com blocos de 4 kiB, o WD Black SN750 de 500 GB foi 17% mais lento do que o Samsung 960 EVO de 500 GB.
No teste de escrita aleatória com blocos de 4 kiB, o WD Black SN750 de 500 GB foi 16% mais rápido do que o Samsung 960 EVO de 500 GB.


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