Análise do Secundário
Esta fonte usa um projeto síncrono no secundário, o que significa que os diodos foram substituídos por transistores para aumentar a eficiência.
A saída de +12 V é retificada por dois transistores de potência MOSFET IRLB3036, cada um capaz de aguentar até 270 A a 25° C ou até 190 A a 100° C em modo contínuo, ou até 1.100 A a 25° C em modo pulsante. Isto nos dá uma corrente máxima teórica de 271 A a 100° C ou 3.257 W!
Figura 13: Transistores de +12 V
As saídas de +5 V e +3,3 V compartilham o mesmo circuito e são retificadas por dois transistores MOSFET IPD031N03L – 90 A a 100° C em modo contínuo e 400 A a 25° C em modo pulsante, RDS (on) de 3,1 mΩ – e dois transistores MOSFET IPD050N03L. Os quatro transistores estão localizados no lado de solda da placa de circuito impresso.
Figura 14: Os transistores de +5 V e +3,3 V
Os transistores do secundário são controlados por um FSP6601, outro chip proprietário da FSP.
Figura 15: Controlador síncrono
O secundário é monitorado por um circuito integrado WT7579, que é fabricado exclusivamente para a FSP. Este circuito suporta proteções contra sobretensão (OCP), subtensão (UVP), sobrecarga de corrente (OCP) e temperatura elevada (OTP). O circuito de sobrecarga de corrente tem quatro canais de +12 V, correspondendo aos quatro barramentos de +12 V anunciados pelo fabricante.
Figura 16: Circuito de monitoramento
Todos os capacitores usados no secundário são da CapXon e rotulados a 105° C.
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