Teste da Fonte de Alimentação Thermaltake Toughpower 800 W (W0296RU)

Análise do Secundário

A Thermaltake Toughpower 800 W tem duas fontes de alimentação separadas internamente, uma para a saída de +12 V e outra para a saída de +5 V, com a saída de +3,3 V sendo gerada a partir da saída de +5 V. Há no total quatro retificadores Schottky e cinco transistores de potência MOSFET. Cada um desses transistores de potência é controlador por um circuito integrado IR1167ASPbF.

A saída de +12 V é produzida por dois transistores de potência MOSFET IRFB3206PbF (máximo de 120 A a 100° C, RDS(on) máximo de apenas 3 mΩ, que é extremamente baixo – o que é excelente) e dois retificadores Schottky SBR60A45CT (60 A, 30 A por diodo interno a 150° C, queda de tensão máxima de 0,55 V cada), cada um instalado em paralelo com cada transistor MOSFET para evitar condução cruzada (este projeto é chamado “chaveamento de tensão zero” ou “chaveamento sem perda”). Cada MOSFET é controlado por um circuito integrado IR1167ASPbF.

A saída de +5 V é produzida por outros dois transistores de potência MOSFET IRFB3206PbF (também controlados por circuitos integrados IR1167ASPbF), usando diodos Schottky SSC53L  para evitar condução cruzada (este projeto é chamado “chaveamento de tensão zero” ou “chaveamento sem perda”). Esses diodos são soldados diretamente na placa de circuito impresso e, portanto, não presentes no dissipador de calor do secundário.

Como explicamos, a saída de +3,3 V é produzida a partir da saída de +5 V, usando outro MOSFET IRFB3206PbF (também controlado por um circuito integrado IR1167ASPbF) e um retificador Schottky SBR4040CT (40 A, 20 A por diodo interno a 110° C, queda de tensão máxima de 0,53 V).

A saída +5VSB usa o quarto retificador Schottky presente no dissipador de calor do secundário (outro SBR4040CT).

O projeto único desta fonte de alimentação nos impediu de calcular os valores máximos teóricos para corrente e potência, já que precisaríamos explorar esta fonte de alimentação em muito mais detalhes para chegarmos a esses valores.

Figura 13: Transistores MOSFETs e retificadores.

O secundário é monitorado por um circuito integrado PS223H, que apresenta proteções contra sobretensão (OVP), subtensão (UVP), sobrecarga de corrente (OCP) e superaquecimento (OTP; não implementada nesta fonte).

Figura 14: Circuito de monitoramento.

Todos os capacitores eletrolíticos do secundário são taiuaneses da Teapo e rotulados a 105° C, como de costume. Esta fonte tem um capacitor sólido no secundário.