Análise do Secundário
Esta fonte usa um projeto síncrono no secundário, o que significa que os diodos foram substituídos por transistores para aumentar a eficiência. A saída de +12 V usa um projeto totalmente síncrono, enquanto as saídas de +5 V e +3,3 V utilizam um projeto parcialmente síncrono, onde apenas os diodos responsáveis pela retificação direta foram substituídos por transistores MOSFETs. Nessas saídas, a parte “giro livre” da retificação continua usando diodos Schottky.
A saída de +12 V é retificada por quatro transistores de potência MOSFET IRFB3206PbF, cada um capaz de aguentar até 210 A a 25° C ou 150 A a 100° C em modo contínuo, ou até 840 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) de apenas 2,4 mΩ.
A saída de +5 V usa um transistor MOSFET IRF1404 em sua retificação direta, componente que é capaz de aguentar até 202 A a 25° C ou 143 A a 100° C em modo contínuo, ou até 808 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) de apenas 4 mΩ. Para a parte “giro livre” da retificação um retificador Schottky STPS3045CT é usado. Este retificador suporta até 30 A (15 A por diodo interno a 155° C), com uma queda de tensão máxima de 0,84 V.
A saída de +3,3 V usa outro transistor MOSFET IRF1404 e um retificador Schottky STPS3045CT. As especificações desses componentes já foram discutidas acima.
Figura 17: O transistor de +5 V, dois dos transistores de +12 V e o retificador de +3,3 V
Figura 18: O transistor de +3,3 V, dois dos transistores de +12 V e o retificador de +5 V
O secundário é monitorado por um circuito integrado WT751002, que suporta apenas proteções contra sobretensão (OVP) e subtensão (UVP). Mas a proteção contra sobrecarga de corrente (OCP) está presente, já que conseguimos testá-la, e ela é feita usando dois comparadores de tensão LM339.
Figura 19: Circuito de monitoramento
Os capacitores eletrolíticos usados no secundário são da KSC, Teapo e Fcon, e estão rotulados a 105° C, como de costume.
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