Análise do Primário
Vamos agora dar uma olhada em profundidade no primário da Seasonic SS-300TFX. Para uma melhor compreensão do que iremos falar aqui, sugerimos que você leia nosso tutorial Anatomia das Fontes de Alimentação Chaveadas.
Esta fonte de alimentação usa uma ponte de retificação GBU606 em seu primário instalada em um dissipador de calor individual, o que é ótimo (normalmente os fabricantes economizam em produtos com baixa potência e este parece não ser o caso com esta fonte). Este componente suporta até 6 A a 100° C, se um dissipador de calor for usado, ou até 2,8 A a 100° C se um dissipador de calor não for usado (veja a diferença que um dissipador de calor pode fazer). Em teoria você seria capaz de extrair até 690 W da rede elétrica; assumindo uma eficiência de 80%, a ponte permitira que esta fonte fornecesse até 552 W sem que ela queimasse. É claro que estamos falando especificamente do limite da ponte de retificação, e a potência máxima que uma fonte é capaz de fornecer depende dos demais componentes usados.
Figura 9: Ponte de retificação.
O circuito PFC ativo usa apenas um transistor em vez de dois, que é a configuração mais comum (provavelmente para economizar espaço dentro da fonte porque em uma fonte de 300 W apenas um transistor é capaz de colocar o fator de potência acima de 0,99 e por isso o uso de dois transistores nesta fonte seria mais do que o necessário). O transistor usado é um SPP20N60C3, que é capaz de fornecer até 20,7 A a 25° C ou 13,1 A a 100° C em modo contínuo (veja o que a diferença de temperatura faz) ou 62,1 A em modo pulsante a 25° C, apresentando uma resistência de 190 mΩ, uma características chamada RDS(on). Este número indica a quantidade de potência que é desperdiçada e quanto menor este valor melhor, pois significa que o transistor consumirá menos quando estiver ligado, resultando em uma maior eficiência para a fonte.
Figura 10: Diodo do PFC ativo e transistor do PFC ativo.
O capacitor eletrolítico usado para filtrar a saída do circuito PFC ativo é japonês da Chemi-Con e rotulado a 85° C.
Na seção de chaveamento dois transistores de potência MOSFET FQP13N50C são usados na tradicional configuração direta com dois transistores, cada um apresentando uma corrente máxima de 13 A a 25° C ou 8 A a 100° C em modo contínuo ou até 52 A a 25° C em modo pulsante. Esses transistores têm um RDS(on) de 580 mΩ.
Figura 11: Transistores chaveadores.
O primário é controlado por um chip PFC/PWM ICE1CS02.
Figura 12: Controlador PFC ativo/PWM.
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