Teste da Fonte de Alimentação NZXT HALE90 V2 850 W

Análise do Secundário

Como era de se esperar em uma fonte de alimentação de alta eficiência, a NZXT HALE90 V2 850 W usa um projeto síncrono, onde os retificadores Schottky foram substituídos por transistores MOSFET.

A saída de +12 V usa quatro transistores MOSFET IPP023NE7N3 G, cada um suportando até 120 A a 100° C em modo contínuo ou até 480 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 2,3 mΩ.

Figura 16: Os transistores de +12 V

A saída de +5 V usa um MOSFET PSMN2R6-40YS (“2R640PBm”) para a retificação direta. Este transistor suporta até 100 A a 100° C em modo contínuo, com um RDS(on) máximo de 3,7 mΩ. Para a parte “giro livre” da retificação, um transistor MOSFET IPD036N04L G é usado. Este transistor suporta até 90 A a 25° C ou 87 A a 100° C em modo contínuo ou até to 400 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 3,6 mΩ. Esses transistores são controlados por um circuito integrado feito sob encomenda (FSP6601).

A saída de +3,3 V usa a mesma configuração que a saída de +5 V, descrita acima.

Figura 17: Os transistores de +5 V e +3,3 V

Figura 18: Os dois controladores síncronos

As saídas desta fonte de alimentação são monitoradas por um circuito integrado WT7527, que suporta proteções contra sobretensão (OVP), subtensão (UVP) e sobrecarga de corrente (OCP). Existem dois canais de proteção contra sobrecarga de corrente, mas o fabricante decidiu utilizar apenas um deles, o que torna esta fonte uma unidade de barramento de +12 V único.

Figura 19: Circuito de monitoramento

Esta fonte de alimentação usa capacitores eletrolíticos japoneses, da Chemi-Com, em seu secundário, rotulados a 105° C. Existem alguns capacitores sólidos na placa do circuito impresso do sistema de cabeamento modular.

Figura 20: Capacitores

Figura 21: Capacitores