Análise do Secundário
A be quiet! Dark Power Pro 10 850 W usa um projeto DC-DC no seu secundário, o que significa que ela é basicamente uma fonte de +12 V com as saídas de +5 V e +3,3 V sendo produzidas por duas fontes de alimentação menores conectadas ao barramento de +12 V principal. Além disso, a saída de +12 V usa um projeto síncrono, onde os retificadores foram substituídos por transistores MOSFET. Ambos os projetos são usados para aumentar a eficiência da fonte.
A saída de +12 V usa quatro transistores MOSFET BSC018N04LS G, cada um suportando até 100 A a 100° C em modo contínuo ou até 400 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 1,8 mΩ. Estes transistores estão localizados no lado da solda na placa do circuito impresso, utilizando a carcaça da fonte de alimentação como dissipador de calor.
Figura 16: Transistores MOSFET de +12 V
Os conversores DC-DC estão localizados na mesma placa do circuito impresso que o sistema de cabeamento modular. Ambos são controlados por um circuito integrado APW7159 e cada saída utiliza três transitores MOSFET RJK0332DPB, cada um suportando até 35 A a 25° C em modo contínuo ou 140 A a 25° C em modo pulsante, com um RDS(on) máximo de 8,5 mΩ.
Figura 17: Conversor DC-DC
Figura 18: Conversor DC-DC
Esta fonte usa um circuito integrado de monitoramento PS232F, que suporta proteções contra sobretensão (OVP), subtensão (UVP) e sobrecarga de corrente (OCP). Existem quatro canais de proteção de sobrecarga de corrente de +12 V, coincidindo com a quantidade de barramentos de +12 V anunciada pelo fabricante.
Figura 19: Circuito de monitoramento
Os capacitores eletrolíticos responsáveis por filtrar as saídas também são japoneses da Chemi-Con e rotulados a 105° C, como de costume. Esta fonte também utiliza capacitores sólidos.
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