Regulador de Tensão
A H55N-USB3 vem com um ótimo circuito regulador de tensão de sete fases para o processador. Quatro delas são usadas para a tensão principal do processador (Vcc ou Vcore), duas são usadas para a tensão VTT, que alimenta o controlador de memória integrado e o cache L3, e a última é usada pelo controlador de vídeo integrado (VAXG). Portanto, essa placa-mãe usa uma configuração "4+2+1".
Os transistores MOSFET usados pelo circuito regulador de tensão principal do processador são o NTMFS4921N e o NTMFS4935N ("lado alto" and "lado baixo"), usando os circuitos integrados ISL6612 e ISL6622 como drivers. Eles são MOSFETs com baixo RDS(on), o que significa que esse circuito tem maior eficiência do que os que usam MOSFETs comuns.
As fases do controlador de memória do processador (VTT) e dos módulos de memória (VDIMM) também usam MOSFETs de baixo RDS(on).
Figura 8: Circuito regulador de tensão
Todos os capacitores eletrolíticos usados nessa placa-mãe são sólidos, e ela usa apenas bobinas com núcleo de ferrite, que apresentam menor perda de energia do que bobinas com núcleo de ferro (maior eficiência).
Leia nossa tutorial Tudo o Que Você Precisa Saber Sobre o Circuito Regulador de Tensão da Placa-Mãe para entender mais sobre o assunto.
Dando continuidade à tradição da Gigabyte, a H55N-USB3 usa trilhas de cobre mais espessas nas linhas VCC e GND da placa de circuito impresso. Normalmente as placas de circuito impresso usam trilhas de alimentação com 35 µm de espessura, mas nessa placa-mãe as trilhas de alimentação têm 70 µm de espessura. Esse recurso é chamado "2 oz. copper" (2 onças de cobre) pelo fabricante.
Uma série de três LEDs ainda indica que fases do regulador de tensão estão ativas no momento.
Figura 9: LEDs indicadores de fases ativas
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