Regulador de Tensão
A MSI P55A-GD65 vem com um circuito regulador de tensão de alto desempenho, chamado DrMOS, com um total de dez fases, oito para o processador (Vcore) e duas para o controlador de memória integrado (barramento VTT).
Cada fase não usa transistores MOSFET discretos, mas circuitos integrados com esses transistores integrados. Cada chip “DrMOS” (Fairchild FDMF6704V) tem internamente três MOSFETs (“alto”, “baixo” e o “driver”) chaveando a 1 MHz em vez de 250 kHz como os reguladores de tensão tradicionais de modo a aumentar a eficiência, ou seja, menos energia é desperdiçada o que significa que o processador e a memória consomem menos energia da fonte de alimentação se comparado com outros projetos. De acordo com a MSI uma fase do “DrMOS” é mais eficiente do que quatro fases tradicionais por conta disso. O fabricante promete uma eficiência máxima de 96%, um aumento de 38% em relação ao projeto tradicional.
Esta placa-mãe vem com um dissipador de calor passivo apenas em quatro dos circuitos integrados. A remoção de um dos dissipadores de calor e do heatpipe foi uma maneira encontrada pelo fabricante para reduzir custos e baratear a placa-mãe.
Todos os capacitores usados no circuito regulador de tensão e no resto desta placa são sólidos e todas as bobinas são de ferrite, que são melhores do que bobinas de ferro.
Leia nosso tutorial Tudo o Que Você Precisa Saber Sobre o Circuito Regulador de Tensão da Placa-Mãe para mais informações.
Figura 6: Circuito regulador de tensão
Figura 7: Detalhe do circuito regulador de tensão
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