Sérgio Lembo

Compra uma pilha recarregável e um recarregador de pilhas. O chato vai ser ter que abrir o aparelho toda hora. Talvez compense mais um barbeador novo.

Vai no mercadolivre, digita placa de circuito impresso. Tem vária\s pessoas lá e por preço interessante.

Vi no ML um shunt 75mV x 50A com amperímetro. R$ 30,00 Um amplificador de shunt que suporte alta frequência modelo INA218 = R$ 32,20 cada. O modelo INA214, bem mais barato, degrada muito a partir de 1kHz. o restante do circuito de controle vai custar menos que R$ 100,00 Se for por corrente média (sem indutor) a parte de potencia sai por máximo de R$60,00 Com indutor para se ter uma corrente mais filtrada, só ele + R$ 60,00 Mesmo com outras despesas não pensadas, dá para fazer essa fonte com máximo de R$ 400,00. Para quem estava fugindo de uma fonte de R$ 5.000,00 tá ótimo. adicionado 30 minutos depois Tá difícil de dimensionar os componentes sem determinadas informações. Com os 12V automotivos se alcança os 30A? Citaste um circuito de PWM que depois de 2 horas estava com 28A. Qual a tensão que ele estava chaveando? Pergunto isso porque quanto mais baixa a tensão mais simples e barato fica.

De quantos miliamperes é o led que pretende acender?

@albert_emule. olhe o enrolamento. Vai gerar campo no mesmo sentido. tem que ser opostos. Quanto a potencia, isso é outra história.

Não recordo agora se é regra da mão direita ou esquerda, já faz um bom tempo que saí da escola, mas o que difere o desenho que não deu certo do que funciona está no sentido do enrolamento da bobina. No que deu errado pelo fato das correntes terem o mesmo sentido na bobina, acabou criando 2 campos iguais no sentido de direção do campo. Reparem que no desenho que deu certo, uma bobina recebe corrente pelo início e outra pelo fim. Isso faz com que se tenha campos opostos, se uma é norte, a outra será sul. Com um pequeno desalinhamento angular entre os centros dos campos e as escovas de comutação, tem-se o movimento. Isso é válido tanto pra os motores seriais (universal) quanto os de campo paralelo.

Olhando melhor o vídeo, para fazer a máscara (deposição de material e cura), o cara teve que tirar a placa da router. E pra colocar aquela encrenca no lugar correto depois? Um errinho de décimos de mm sabota tudo. Na gráfica (tive uma por 10 anos) para se imprimir cor sobre cor e encaixar correto, usamos o método de registro, que nada mais é do que colocar calços em 2 faces adjacentes. Quando o material volta para reimpressão basta encostar nos calços que dá certo. Mas não vi nada disso na mesa do router.

O comentário do @Mestre88 faz sentido, se procurar encontra relé de baixo perfil. Só não sei se tão barato como R$ 2,75. Voltando ao circuitinho, havia me esquecisdo do mosfet canal P. É o hábito de só fazer potência com canal N. adicionado 27 minutos depois Sobre o custo de transistor, se já está com um volume razoável de vendas é bom ir pensando em compras de componentes em volume maior. No meu caso, tenho um projeto em andamento que necessita de um transistor de 100V com baixo/médio Rds para 0,5A e com chaveamento acima de 60kHz com baixas perdas de chaveamento (switching loss). Nessas frequências as perdas por chaveamento costumam superar as de comutação e para mim, quanto maior a frequência, menor o custo do indutor. Se aquecer pouco, me livro de ter dissipador.. Encontrei no G1002L da GOFORD uma boa resposta técnica e econômica. Custou US$ 75,00, é do tipo SOT23, o que me permite usar ferro de solda mesmo sendo um SMD e vem com 3000 transistors no carretel. Apenas US$ 0,025 a peça. Não é erro de digitação, 2 cents e meio o custo. Boa sorte.

Acionar esse mosfet na função que deseja não vai ser tão simples assim. Quando a chave do carro está desligada ao ligar, tudo bem. Haverá 12V da bateria sobre um source que está no zero. Até aí beleza, o mosfet inicia a comutação, a tensão do source vai subindo, a tensão do gate continua a mesma, a tensão Vgs (que é a que comuta o transistor) continua a cair enquanto o transistor está comutando (v source subindo em relação ao negativo). Se a tensão limiar de comutação do mosfet for de 1,5v, quando a tensão dreno-source (Vds) chegar aos 1,5V não haverá mais como o mosfet continuar comutando, pois se tentar subir mais um pouco o source o transistor será cortado por falta de Vgs. Seus 15A em 1,5V vai dar um ferro de solda, 45W de calor, além de uma queda de tensão de 1,5V na linha.

http://produto.mercadolivre.com.br/MLB-827849716-transistor-mosfet-on-ntd4806n-35g-n-channel-30v-76a-1-unid-_JM

Êta doideira! De sistemas de energia a física nuclear! rs

Não. Estava procurando na net uma imagem de bobina feita com barramento para ilustrar meu post e vi essa imagem.

@mlegnari, não é uma adaptação, é ferramenta desenvolvida para tal. Permite a seleção das molas e da ponta de desbaste. O duro é descobrir aonde vende isso. Na verdade, a pior parte é descobrir o nome disso pra jogar no Google.

Complementando a resposta do colega @Ricardov. Os pulsos de curto circuito são tão elevados que basta umas poucas espiras para acionar um disjuntor. É dessa forma que se constroi os disjuntores termo-magnéticos. Sobre os barramentos dos painéis de distribuição e CCM, é de praxe se fazer uma bobina de ar de 2 a 4 espiras com o próprio material do barramento no ponto de entrada. Essa micro indutância não compromete o desempenho do barramento, mas limita bravamente o di/dt do surto de curto circuito, dando tempo que os disjuntores abram os contatos antes que os níveis de corrente colem os contatos ou que os fusíveis fundam antes que a corrente supere a resistencia deles à explosão. adicionado 20 minutos depois E já que o assunto é energia, um geradorzinho em construção.

Consumo em funcionamento: Vbat / R6 + Vbat / R1 Consumo em stand by: os pico amperes da fuga de corrente do gate de Q4 + a fuga de corrente de C1 + a fuga Ice de Q2 adicionado 36 minutos depois Tenho dúvidas sobre o funcionamento do circuito e não houver uma carga mínima. Talvez seja necessário um resistor entre a saída e o negativo ou mesmo um led pra enfeitar o pavão e garantir um consumo mínimo. adicionado 53 minutos depois Reduzindo custos: Q4 pode ser eliminado e Q3 substituido por um resistor não muito baixo que promova a descarga do gate de Q1 quando Q2 desligar. O problema dessa configuração é que esse resistor vai competir no instante inicial de funcionamento com C1. Será mais difícil para C1 cumprir sua função se além de competir com a carga do gate tambem tiver que suportar o peso dessa resistencia. Proponho que os testes se iniciem com o circuito completo. Só depois de conseguir um bom funcionamento do circuito é que deverá ser tentada a substituição dessa malha de desligamento por um simples resistor. Embora pareça ser mais trabalhoso, considere que fazer um acionamento por um único pulso é um desafio. Vença primeiro esse desafio para só depois fazer a otimização. Vai economizar um bom tempo. Boa sorte! Poste aqui os resultados

Foi mais difícil do que eu esperava ser. Já que o gate do mosfet aceita tanto polarização positiva quanto a negativa, fui pela negativa. Estou mandando a imagem e o esquema para simulação. Talvez seja necessário um refinamento. Luzes de carro.rar adicionado 51 minutos depois Os transistores não foram selecionados nos modelos mais convenientes. Os modelos que aparecem são os que vieram no simulador. Esse trabalho de seleção deixo para quem for montar. Critérios de seleção: - Para todos os transistores, pelo menos 30V - Q2 pelo menos 100mA de pico de corrente repetitivo de coletor, limitar a corrente do coletor por R6, usando Vbat_max = 15V, onde Icoletor = Ibase x ganho. Vai ter que consultar o datasheet do transistor, em especial a curva de transferência para ver o hfe nessa condição de corrente. Será apenas um surto de corrente, não se preocupe com calor. Não use darlington. Estimar o ganho com darlington é loucura. - D3 impede polarização positiva de Q1 e limita em -16V o surto, já que na inicialização a ação combinada do pulso de C1 com o chaveamento de Q1 tende a levar o Vgs para - 2 x Vbateria. Normalmente o Vgs máx de mosfet é de +- 20V. - Q4 deve ser um mosfet de baixo Qg, baixo Time fall e baixo Time delay fall. Quanto menor melhor, mesmo que isso nos custe vários Ohms de Rds, não faz mal. A performance dinâmica dele é mais importante que a resistencia de comutação. - Q3 vai ter que aguentar um bom tranco para descarregar a capacitancia do gate do Q1. Esses mosfets de baixíssimo Rds acumulam grandes cargas no gate. Considera-se o pico de corrente como sendo -Vbateria / R7. É pulso não repetitivo, só acontece quando se desliga a chave. Não vai aquecer Q3. Verificar o ganho de Q3 nessa condição de corrente na curva Ic x HFE, talvez tenha que redimensionar R3. - Q1 é o nosso herói. Para dimensionamento dele, considerar o Rds que ele apresenta a 125ºC e um limiar de condução acima de 1,5V no gate. - R1, C1, R2 Do jeito que está, a constante RC está em 20ms. C1 muito baixo não resolve, muito alto leva tempo demais para recuperação. Talvez seja necessário refinar. - Comando da chave: Temos aqui um probleminha que separa os elemento ideais dos reais. Em inglês é bounsen o nome. Em português pode ser o repique que o contato faz antes de fechar em definitivo. costumam ser entre 3 e 6 repiques, onde a saida do contato oscila entre o fechado e o flutuante. Duração de poucos milisegundos. Isso pode provocar funcionamento irregular de Q2 e sabotar o funcionamento de C1. Talvez seja necessário um retardo na base de Q2. não confundir retardo com acionamento lento. Se necessária a implantação, um circuito de retardo seguido de um pulso firme na base de Q2 para acionamento rápido.

errei no circuito, daqui a pouco posto de novo

O mosfet tem um diodo antiparalelo. Existe a necessidade de impedir que as lampadas tentem carregar a bateria? Não estou conseguindo entender essa ligação invertida. É a bateria no dreno e as lampadas no source. A polarização do gate pode ser negativa. Não há a necessidade de ser positiva. Vou montar um circuitinho e já posto.

Veja só esse datasheet. Tem anuncio dele no mercado por 1 real. Em quantidade sai mais barato. Apenas 6 miliOhms, podendo chegar a 9miliOhms em 125ºC. http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/355787/ONSEMI/NTD4806N.html Com 15A vai dissipar 2W e ter uma queda de quase 0,15V. É aceitável e uma pequena lata dá conta de dissipar esse calor.

Esse circuito não está completo, tem todo um comando nos gates dos SCRs. Porquê não usa um mosfet ou igbt?

@aphawk, fazem uns anos atrás vi uma impressora jato de tinta modificada para impressão de CDs. Será que uma dessas com utilização de tinta de cura UV não seria a resposta para a máscara em situações de baixo volume? Fazer esquema de silk screen para uma ou poucas placas é de doer no saco.

Dei uma fuçada no tio Google e por alguns resultados semelhantes aparenta ser multicamada. Também apareceu um outro circuito com forma de codificação semelhante. Será que além de tantos conhecimentos também teremos que aprender uma nova burocracia de codificação?

Isso daí tem cara e cheiro de código de fabricante, o que nos leva a uma loucura, já que cada doido inventa sua própria codificação. Seja bem vindo as neuras da eletrônica! adicionado 3 minutos depois Se tiver como identificar o fabricante do componente, vá ao site dele e vê no que resulta esse código. Com certeza, além de valores também engloba características de fabricação e desempenho.

Type Designator: HJ772 Material of Transistor: Si Polarity: PNP Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 40 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 30 V Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V Maximum Collector Current |Ic max|: 3 A Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C Transition Frequency (ft): 80 MHz Collector Capacitance (Cc): 55 pF Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 100 Noise Figure, dB: - Package: TO-252 http://alltransistors.com/pdfview.php?doc=hj772.pdf&dire=_hsmc

Complementando o texto, todo o processo acima descrito ocorre em poucos nanosegundos, dando a impressão de uma reta vertical e instantânea. Instantâniedade em eletrônica é o mesmo que Papai Noel. Só os iniciantes e infantes é que acreditam nisso.