O que é divisor de tensão firme e divisor de tensão estável?

[c3po2]

Bom dia, estou procurando mas não consigo achar o que é divisor de tensão firme e divisor de tensão estável em se tratando de transistor. No caso a base é ligado por um divisor de tensão e há uma resistência no emissor. Aí surge os conceitos de divisor de tensão estável (100:1) e divisor de tensão firme (10:1). Fiquei perdido.

[mateus7]

Olá não seria Divisor de Tensão fixos E Divisor de Tensão Ajustável 

Divisores de Tensão Fixo São composto de Resistores C/Valores fixos 

Divisores de tensão Ajustáveis são compostos de Resistores Variáveis (Potenciômetros)

[c3po2]

Olá não seria Divisor de Tensão fixos E Divisor de Tensão Ajustável 

Divisores de Tensão Fixo São composto de Resistores C/Valores fixos 

Divisores de tensão Ajustáveis são compostos de Resistores Variáveis (Potenciômetros)

 

Não, não há nada a ver com resistores variáveis ou fixos. É divisor de tensão firme 10% e estável 100%.

[MOR_AL]

Eu trato com eletrônica há mais de 45 anos e não me lembro destes termos em divisores resistivos.

Se você nos fornecer a fonte desta informação, talvez possamos descobrir do que se trata.

MOR_AL

[Ricardo S Ferreira]

Eu também nunca ouvi falar.

Mas garimpando achei isso:

 

Divisores de tensão carregados

Algumas vezes é essencial que a tensão fornecida por um divisor de tensão permaneça fixa; isto é, a tensão não deve cair significativamente quando uma carga RL é conectada. Para prevenir tais efeitos de carregamento, usamos cargas de valores suficientemente grandes para que o circuito divisor de tensão seja alterado minimamente. Isto é realizado utilizando os chamados divisores de tensão firmes ou rígidos. Em um divisor firme, a carga é no mínimo 10 vezes o valor resistivo da resistência sobre a qual é conectada (RL= 10.R2) . A carga em um divisor rígidoé no mínimo 100 vezes o valor resistivo da resistência sobre a qualé conectada (RL= 100.R2). Os conceitos de divisores de tensão firmes e rígidos são importantes para selecionar o equipamento de teste adequado para medir tensão em circuitos eletrônicos e para estudar circuitos com transistores.

 

Esse texto faz parte do seguinte material: http://www.if.ufrj.br/~toni/analogica1.pdf

[c3po2]

Eu trato com eletrônica há mais de 45 anos e não me lembro destes termos em divisores resistivos.

Se você nos fornecer a fonte desta informação, talvez possamos descobrir do que se trata.

MOR_AL

 

livro de malvino volume 1, 7ª edição, pag 265  no tópico "análise precisa para PDT". Dá para ver a parte do título neste link

 

https://books.google.com.br/books?id=x2Fl3NnI5RUC&pg=SA8-PA4&lpg=SA8-PA4&dq=divisor+tens%C3%A3o+est%C3%A1vel+malvino&source=bl&ots=Iy9zT8GLUn&sig=gdezM4M_KdeKvcLylfBowjQ25sc&hl=pt-BR&sa=X&ved=0CBwQ6AEwAGoVChMIorebrPbRyAIVhCKQCh1VCwLg#v=onepage&q=divisor%20tens%C3%A3o%20est%C3%A1vel%20malvino&f=false

 

mas a informação é omitida (direitos autorais, etc).​  Mas dá para ter uma noção.

Eu também nunca ouvi falar.

Mas garimpando achei isso:

 

Divisores de tensão carregados

Algumas vezes é essencial que a tensão fornecida por um divisor de tensão permaneça fixa; isto é, a tensão não deve cair significativamente quando uma carga RL é conectada. Para prevenir tais efeitos de carregamento, usamos cargas de valores suficientemente grandes para que o circuito divisor de tensão seja alterado minimamente. Isto é realizado utilizando os chamados divisores de tensão firmes ou rígidos. Em um divisor firme, a carga é no mínimo 10 vezes o valor resistivo da resistência sobre a qual é conectada (RL= 10.R2) . A carga em um divisor rígidoé no mínimo 100 vezes o valor resistivo da resistência sobre a qualé conectada (RL= 100.R2). Os conceitos de divisores de tensão firmes e rígidos são importantes para selecionar o equipamento de teste adequado para medir tensão em circuitos eletrônicos e para estudar circuitos com transistores.

 

Esse texto faz parte do seguinte material: http://www.if.ufrj.br/~toni/analogica1.pdf

 

no caso a carga RL seria o transistor e os seus circuitos derivados? não entendo quando diz "usamos cargas de valores suficientemente grandes para que o circuito divisor de tensão seja alterado minimamente".

[mateus7]

Eu trato com eletrônica há mais de 45 anos e não me lembro destes termos em divisores resistivos.

Se você nos fornecer a fonte desta informação, talvez possamos descobrir do que se trata.

MOR_AL

http://nerdeletrico.blogspot.com.br/2011/04/circuito-divisor-de-tensão.html 

pois é desta de10 ¨% e 100% Como o RICARDO DISSE eu não sabia ..... 

intaun o que eu estava intendendo é mais o menos sobre o artigo acima

V=R*I .... Onde Se ABAIXARMOS a Corrente ou Sejá(Aumentar a Resistencia teremos a Tensão regulada Mediante cálculos de Circuitos Resistivos .

ne ? creio que Entendi errado 

[faller]

Você já deve ter notado que um divisor de tensão consegue apresentar uma determinada tensão independentemente dos valores absolutos de seus resistores mas sim do valor relativo dos mesmos..

Um divisor que use 10k e 1k vai apresentar no ponto de interseção dos resistores a exata mesma tensão de outro cujos valores dos resistores seja 100k e 10k ou de outro cujos valores sejam de 100 Ohms e 10 Ohms.. Isso dai qualifica o divisor de tensão sendo que aqueles divisores de tensão executados com resistores de menor valor tem a tendência de variar essa tensão em menor escala de quando eles são executados com resistores de alto valor...

Essa é a diferença ai que buscas...

[mateus7]

Não, não há nada a ver com resistores variáveis ou fixos. É divisor de tensão firme 10% e estável 100%.

Olá Esse FIRME e ESTÀVEL é referente a Tolerância  do Resistor ?

[c3po2]

Olá Esse FIRME e ESTÀVEL é referente a Tolerância  do Resistor ?

é uma coisa complexa para eu explicar, mas tem a ver com fonte ideal. Se for satisfento R₁||R₂<0,01hR_e, o divisor de tensão da base é estável. Ou seja, R1 em paralelo com R2 funciona como uma fonte (imagine que no lugar do divisor de tensão há uma fonte, e ela esteja ligado a base). Se essa fonte tiver uma resistência menor que o ganho de corrente h multiplicado pela resistência do emissor, ela pode ser considerada ideal (ou seja, sem resistência interna). Só que o que não entendo é porque multiplicou h versus R_{e .} O autor considera esse hRe como resistência de entrada. Mas do que? da Carga? Que carga? e porque h versus R_e???

 

Além disso, para realização de projetos, R1||R2 (lê-se R1 em paralelo com R2) para satisfazer a condição de fonte ideal muitas vezes é pequeno, pois imagine, teria de ser 100 vezes menor que hR_e (o mesmo que 0,01hR_e). Logo pode fazer 0,10hR_e (divisor de tensão firme). Neste ultimo caso o transistor no pior dos casos terá uma tolerância de 10%, de erro, o que ainda é aceitável. Também não entendo porque logo de cara 0,10hR_e. Sei que são conceitos meio que complexos, mas eu vou chorar ou pifar se não entender isso .

 

http://nerdeletrico.blogspot.com.br/2011/04/circuito-divisor-de-tensão.html 

pois é desta de10 ¨% e 100% Como o RICARDO DISSE eu não sabia ..... 

intaun o que eu estava intendendo é mais o menos sobre o artigo acima

V=R*I .... Onde Se ABAIXARMOS a Corrente ou Sejá(Aumentar a Resistencia teremos a Tensão regulada Mediante cálculos de Circuitos Resistivos .

ne ? creio que Entendi errado 

O link dá p/ uma página inexistente.

[mateus7]

é uma coisa complexa para eu explicar, mas tem a ver com fonte ideal. Se for satisfento R₁||R₂<0,01hR_e, o divisor de tensão da base é estável. Ou seja, R1 em paralelo com R2 funciona como uma fonte (imagine que no lugar do divisor de tensão há uma fonte, e ela esteja ligado a base). Se essa fonte tiver uma resistência menor que o ganho de corrente h multiplicado pela resistência do emissor, ela pode ser considerada ideal (ou seja, sem resistência interna). Só que o que não entendo é porque multiplicou h versus R_{e .} O autor considera esse hRe como resistência de entrada. Mas do que? da Carga? Que carga? e porque h versus R_e???

 

Além disso, para realização de projetos, R1||R2 (lê-se R1 em paralelo com R2) para satisfazer a condição de fonte ideal muitas vezes é pequeno, pois imagine, teria de ser 100 vezes menor que hR_e (o mesmo que 0,01hR_e). Logo pode fazer 0,10hR_e (divisor de tensão firme). Neste ultimo caso o transistor no pior dos casos terá uma tolerância de 10%, de erro, o que ainda é aceitável. Também não entendo porque logo de cara 0,10hR_e. Sei que são conceitos meio que complexos, mas eu vou chorar ou pifar se não entender isso .

 

O link dá p/ uma página inexistente.

olá Realmente o link deve ter sofrido um UP ...tente esse http://www.feiradeciencias.com.br/sala12/12_T03.asp

consegui tirar uns prints do link quebrado

[c3po2]

o link foi modificado para:

 

http://nerdeletrico.blogspot.com.br/2011/04/circuito-divisor-de-tensão.html

 

vou ler aqui com calma

[c3po2]

resistência de entrada da base? como assim? quanto maior o ganho de corrente no transistor, maior é a resistência de entrada visto do lado da base? Ex se o ganho de corrente é 100 e o emissor possui resistência Re. Então a base vê como resistência de entrada como 100Re? Se o ganho de corrente for 150, logo a base vê como resistência de entrada 150Re? Se sim porque?

[MOR_AL]

Ok!

Agora entendi do que se trata.

Para projetos rápidos, com divisor resistivo na base do transistor, é comum fazer a corrente que passa nos dois resistores bem maior que a corrente que entra na base. Procedendo-se assim não é necessário considerar a impedância (resistência) equivalente vista na base do transistor. Simplificam os cálculos pois a queda de tensão, devido a presença da base, é pequena.

Pode-se também considerar a resistência de entrada da base como parte integrante do divisor resistivo. Neste caso, a resistência vista pela base fica em paralelo com a resistência inferior do divisor resistivo.

Há algum tempo fiz um tutorial que provavelmente considerava a resistência vista na base, mas não se encontra mais diretamente disponível no CDH. Acho que só pesquisando aqui.

Bons projetos.

MOR_AL

[c3po2]

Ok!

Agora entendi do que se trata.

Para projetos rápidos, com divisor resistivo na base do transistor, é comum fazer a corrente que passa nos dois resistores bem maior que a corrente que entra na base. Procedendo-se assim não é necessário considerar a impedância (resistência) equivalente vista na base do transistor. Simplificam os cálculos pois a queda de tensão, devido a presença da base, é pequena.

Pode-se também considerar a resistência de entrada da base como parte integrante do divisor resistivo. Neste caso, a resistência vista pela base fica em paralelo com a resistência inferior do divisor resistivo.

Há algum tempo fiz um tutorial que provavelmente considerava a resistência vista na base, mas não se encontra mais diretamente disponível no CDH. Acho que só pesquisando aqui.

Bons projetos.

MOR_AL

 

Sim, é isso mesmo. a questão é que a base vê a resistência do emissor como hRe. Que trem doido.

[faller]

Sim, é isso mesmo. a questão é que a base vê a resistência do emissor como hRe. Que trem doido.

Isso é lógico, é físico e completamente compreensível...

 

O transistor tem um ganho que faz com que a resistência R_e apareça na base, reflita na base, esse tamanho de ganho maior, pois a corrente na base será o valor do ganho menor..

[c3po2]

Isso é lógico, é físico e completamente compreensível...

 

O transistor tem um ganho que faz com que a resistência R_e apareça na base, reflita na base, esse tamanho de ganho maior, pois a corrente na base será o valor do ganho menor..

não entendi @faller.

[MOR_AL]

A impedância vista para dentro da base é dada por

Zin = hie + (hfe + 1) . Re, onde:

 

hie e hfe são parâmetros h do transistor para a corrente de coletor usada. Veja datasheet

Re é a resistência de emissor, que em uma configuração "coletor comum" (saída pelo emissor) tem que levar em consideração a carga que estiver conectada ao resistor Re.

MOR_AL

[c3po2]

A impedância vista para dentro da base é dada por

Zin = hie + (hfe + 1) . Re, onde:

 

hie e hfe são parâmetros h do transistor para a corrente de coletor usada. Veja datasheet

Re é a resistência de emissor, que em uma configuração "coletor comum" (saída pelo emissor) tem que levar em consideração a carga que estiver conectada ao resistor Re.

MOR_AL

 

Então neste caso posso resumir que a impedância vista da base para o emissor é z_in=h_fe . R_e? Isso significa que a corrente que entra na base enfrenta uma resistência Z_in?

[Moley]

 

 

 O autor considera esse hRe como resistência de entrada. Mas do que? da Carga? Que carga? e porque h versus R_e???

 

Além disso, para realização de projetos, R1||R2 (lê-se R1 em paralelo com R2) para satisfazer a condição de fonte ideal muitas vezes é pequeno, pois imagine, teria de ser 100 vezes menor que hR_e (o mesmo que 0,01hR_e). Logo pode fazer 0,10hR_e (divisor de tensão firme). Neste ultimo caso o transistor no pior dos casos terá uma tolerância de 10%, de erro, o que ainda é aceitável. Também não entendo porque logo de cara 0,10hR_e. Sei que são conceitos meio que complexos, mas eu vou chorar ou pifar se não entender isso

 

A resistência de entrada é "re" que é dada por:

 

re = 26mV/IE 

 

 

Já IE é:

 

IE = Ib*(Beta+1)

 

 

portanto:

 

re = 26mV/IB*(Beta+1)

 

 

como beta é bem maior na maioria dos casos do que 1, vamos considerar:

 

 

 

re = 26mV/IB*Beta

 

Aplicando na sua formula:

 

 

R1||R2 < hre

.

R1||R2 < 0,01*h*(26mV/IB*Beta)

.

simplificando: estou supondo que o h que se refere é: h = beta

.

R1||R2 < 0,01*(26mV/IB)

.

 

 

Isso mostra que o paralelo de R1 e R2 tem que ser 100 vezes menor que 26mv / IB

 

 

 

[MOR_AL]

Então neste caso posso resumir que a impedância vista da base para o emissor é z_in=h_fe . R_e? Isso significa que a corrente que entra na base enfrenta uma resistência Z_in?

 

Quase isso.

 

Zin = hie + (hfe + 1) . Re

 

Se você chutar algo como hie = 2k, hfe maior ou igual a 100, vai ter um Zin bem comportado.

Na realidade fazemos Re tal, que Zin valha CERCA de 10 VEZES Rb = Rsuperior em paralelo com Rinferior.

Daí pode-se calcular a tensão de base apenas como se Zin não existisse. O erro introduzido seria bem pequeno.

Cálculos genéricos, já fornecidos pelo Moley, na postagem 20 (não procurei nas páginas anteriores) são válidos.

 

Afirmo que a ideia é de se calcular as polarizações dos transistores com (hfe . Re) SEMPRE bem superiores a Rb (Rb = Rsuperior em paralelo com Rinferior). Assim não "se esquenta" mais com zin.

 

Os cálculos exatos só seriam válidos no caso de exercício didático. Na prática não se costuma fazê-los, pois um bom projeto não depende dos parâmetros dos transistores, que além de poderem variar muito, não são confiáveis com os dados dos atuais datasheet. Um bom projeto considera apenas os valores dos resistores, que além de mais precisos, variam muito menos que os parâmetros dos transistores. Tanto com relação à temperatura, como em relação à corrente de coletor e variações da tensão de alimentação.

Bons projetos.

 

MOR_AL

[c3po2]

ok, valeu pela ajuda. Já esclareceu muita coisa aqui. Por exemplo eu ficava relutante em saber a resistência de entrada, de onde tiraram isso, mas parece ser uma caracteristica do transistor. Vou estudar circuitos (minha próxima disciplina) e irei voltar nesta questão novamente com conhecimentos de circuitos. Só para comparar, é como se as apostilas falassem "log 8 na base 2 é 3". E ponto final, param por aí. Não explicam que é 8 pois se multiplicar o 2 três vezes dá 8". É claro que é apenas uma comparação, mas serve muita coisa para eletronica.