Teste de igbt

Meca · 11 de julho de 2013

Tenha 2 placas weg iee6 de esteiras. Como faÇo para testar os igbt's com o multÍmetro? O modelo do igbt É k10t60. E se eles estiverem ruim, qual o igbt que eu poderia estar substituindo ele?

Obrigado pela ajuda

mroberto98 · 11 de julho de 2013

So sei testalos analisando o circuito... Nunca usei multimetro para medir componentes o max que sei e medir junçao de diodo... Se quiser tirar eles e por em um circuito teste com resistores e medir a tensão nos terminais dele vou saber se esta bom ou nao..

BCP · 12 de julho de 2013

Tenha 2 placas weg iee6 de esteiras. Como faÇo para testar os igbt's com o multÍmetro? O modelo do igbt É k10t60. E se eles estiverem ruim, qual o igbt que eu poderia estar substituindo ele?
Obrigado pela ajuda

Siga as instruções desse vídeo do You Tube abaixo...

Você pode substitui-lo pelo IRFP264

albert_emule · 12 de julho de 2013

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet2/1/03pxx58j0eayr1k81efhjr1w7j7y.pdf

Meca · 12 de julho de 2013

Siga as instruções desse vídeo do You Tube abaixo...

Você pode substitui-lo pelo IRFP264

Obrigado pelo video!

Em relação a substituição do componente, eu acho que só utilizar um IGBT, o mosfet talvez não responda da forma correta devido a velocidade de comutação.

Não tenho certeza!

albert_emule · 12 de julho de 2013

Obrigado pelo video!
Em relação a substituição do componente, eu acho que só utilizar um IGBT, o mosfet talvez não responda da forma correta devido a velocidade de comutação.

Não tenho certeza!

IGBT são lentos. Geralmente os pequenos não passam dos 100Khz, e os grandes em módulos, menos ainda, 20Khz já está próximo do limite.

Em compensação suportam correntes muitos maiores.

Eles unem o que há de melhor de um transistor bipolar com o que há de melhor de um mosfet: A baixa resistência elétrica dos transistores bipolares quando estão totalmente saturados, aliado ao acionamento por tensão do mosfet, que facilita o circuito de controle. Então um IGBT tem Gate como mosfet e emissor e coletor como num transistor bipolar.

Na prática eles funcionam semelhante a um mosfet, mas com uma diferença: IGBT possui coeficiente de temperatura negativa; Quanto mais esquenta, menor vai ser a resistência entre coletor e emissor.

Já o mosfet funciona com coeficiente positivo; Quanto mais quente fica, maior será a resistência entre dreno e source.

Ao substituir por mosfet, deve observar a corrente contínua que no caso deverá ser igual ou superior ao do IGBT e a corrente de pico que deverá ser igual ou superior que o IGBT.

Quanto menor for a resistência do Mosfet entre dreno e source menos ele irá perder potência em calor.

Olhe seu IGBT: http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet2/1/03pxx58j0eayr1k81efhjr1w7j7y.pdf

Ele possui uma queda de tensão entre coletor e emissor que quando totalmente saturado vai dar aproximadamente 1,5V e diminuindo conforme aquece devido ao coeficiente negativo de temperatura.

DC corrente por período contínuo de 20A em 25 graus e 10A em 100 graus.

Corrente pulsada segura de 30A com tensão igual ou menor que 400V e temperatura igual ou menor que 150 graus.

Não foce o encapsulamento ser TO-220, Você teria as seguintes a opsões:

IGBT G4PC50UD, neste caso muito melhor:

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/irf/irg4pc50ud.pdf

Ou o mosfet PW20N60, também muito bom.

http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet2/c/0glw7rrii4pz7fzswd9axwoea4cy.pdf