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AMD Zen 2, série 3000 - Ryzen de segunda geração


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Andei pesquisando e não achei nada interessante: tenho uma placa Gigabyte X470 (chipset mais top) e gostei muito da mesma. Penso seriamente em comprar um Ryzen 7 3xxxX ou Ryzen 9 (?) nesse ano ainda, mas não queria mudar de placa-mãe. Sei que a AMD vai lançar a série 500 dos chipsets, será que terei muita perda simplesmente atualizando a BIOS da minha placa X470 e usando um R7 ou R9 forte, sem ser um X570 da vida?? Procurei por tudo mas não achei nenhuma informação concreta sobre isso.

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32 minutos atrás, simforoso disse:

será que terei muita perda simplesmente atualizando a BIOS da minha placa X470 e usando um R7 ou R9 forte, sem ser um X570 da vida?

A tendência é que placa da série 400 ainda seja boa o suficiente para os novos Ryzen. Agora a série 300 pode sofrer um pouco, já que teve até polêmica de que algumas não terão BIOS atualizadas.

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3 horas atrás, Lost Byte disse:

A tendência é que placa da série 400 ainda seja boa o suficiente para os novos Ryzen. Agora a série 300 pode sofrer um pouco, já que teve até polêmica de que algumas não terão BIOS atualizadas.

Olá @Lost Byte obrigado por responder amigão. Realmente, os 3xx não sei se a AMD vai dar essa colher de chá de aceitar os 3000 assim fácil, só atualizando a BIOS... eles prometeram compatibilidade total até 2020 né... vamos ver... a minha X470 da Gigabyte aqui estou sempre atualizando a BIOS dela, estou na F30 atualmente (última) e fala dos novos CPUs e APUs AMD que vão ser lançados em breve. Logo, estou preparado para espetar um 3000 aqui se lançassem.

 

Só tenho um pouco de medo que funcione na minha mobo, mas que tenha recursos muito bons só nos chipsets 500 saca?? Não queria me desfazer dessa placa X470 Gigabyte Aorus, paguei 1100 nela e é uma placa maravilhosa, uma das melhores placas que já tive desde 1997 por aí (e não foram poucas, costumava trocar de mobo a cada 1 ano e meio/2 anos).... essa quero ficar uns 3~4 anos, mas se os chipsets 500 vierem com recursos que arrebentam o desempenho dos 3000 aí vou ter que ficar no 2700X mais uns anos, pois gastei bastante na placa-mãe top e no Ryzen 7 2700X pois quando estava saindo do i7 6700K 4/8 "velhinho" já, estava pensando num Ryzen 5, daí como fui para os EUA com minha namorada na época da Black Friday americana ano passado consegui o Ryzen 7 por preço bom, senão teria pego Ryzen 5 mesmo.

 

Mas como tudo até agora é especulação, vamos ver o que vai dar né.... esse mês de maio não passa nunca... estou ansioso pela nova atualização do Windows (a 1903) que vai vir com uns recursos bem legais, estou também querendo que chegue fim de maio para a AMD mostrar enfim os Ryzen 3000 e ver se vou resistir...kkk

 

Abraço amigo, obrigado pela resposta, tenha uma boa tarde!

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5nm + da TSMC entrará na produção em massa em 2021 de acordo com fontes

https://wccftech.com/tsmcs-5nm-will-enter-mass-production-in-2021-claims-source/

 

TSMC completou com sucesso a produção experimental de wafers de 5nm na Fab 18 - empresa prevista para entrar na produção em massa no próximo ano, com 5nm +

 

No mês passado, informamos que a TSMC havia iniciado a produção de risco de seu processo de fabricação de 5nm de próxima geração. Espera-se que o nó de 5nm forneça um aumento de 80% na densidade do transistor , um aumento líquido de desempenho de 15% e uma redução de 40% na área da superfície. Este processo será usado em vários produtos de 2020, e se tivermos sorte, a A14 da Apple estará pronta a tempo para utilizá-la quando o 5G começar a se tornar mainstream.

 

Agora estamos ouvindo de Taiwan que a produção experimental de 5nm da TSMC (ou o N5, como a empresa chama), terminou. Isso significa que a empresa deve estar pronta para iniciar a produção em massa quando julgar adequado, ou seja, quando os pedidos começarem a chegar . É um relatório interessante, já que a produção de risco para o processo havia começado apenas no mês passado, por volta do dia 5 de abril. Parece que a TSMC está se movendo muito rápido com o nó, mas como essa informação não é de fontes oficiais, leve-a com um pouco de sal por enquanto.

 

O relatório da ITHome também espera que a produção de 5nm da TSMC tenha início no segundo trimestre de 2020. Além disso, o relatório também fornece detalhes para os planos da TSMC para 5nm +. Esse nó aumentará o desempenho em 7% em níveis de consumo de energia semelhantes a 5 nm ou aumentará o consumo de energia em 15% em níveis de desempenho semelhantes ao seu antecessor. De acordo com as informações, a produção experimental de 5nm + começará no primeiro trimestre do ano que vem, e a produção em massa começará no ano de 2021, bem a tempo dos chips 3D WoW (Wafer on Wafer) da empresa .

 

De acordo com dados da IBS Research, o preço da bolacha para 5nm aumentará para US $ 12.500 / wafer, em comparação com US $ 9.965 para 7nm .

No entanto, o processo vai permitir a até 10,5 mil milhões de transistores em um 85 milímetros 2 fieira . Mas, este aumento será compensado por um valor reduzido de 530,25 NDPW (Net Die Per Wafer), devido à diminuição dos rendimentos do processo. Além disso, os parâmetros declarados da TSMC para 5nm não estão de acordo com os números do IRDS de 2017 . A porta do transistor e o passo de interconexão para o processo são definidos como 48 e 30nm respectivamente; que está mais de acordo com os parâmetros para 7nm.

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@brender

Para mim ficou muito claro porque eles removeram o Threadripper do cronograma de lançamentos desse ano! Pelos rumores dá para se ter uma ideia de que o TOP mainstream ficará muito bem posicionado e certamente irá canibalizar os Threadripper de entrada como 2920X e 2950X. Não compensaria gastar os "yields" de 32 ou 64 cores em Threadripper já que estes processadores de alta contagem de núcleos podem ser vendidos muito mais caros como um EPYC.

adicionado 13 minutos depois

 

adicionado 14 minutos depois

Sempre sonhei com isso @brender a pouco mais de 10 anos atrás quando saiu os primeiros processadores com o Hyper Threading da Intel e com o conceito de módulos dos Bulldozer eu ficava sonhando se seria possível aumentar o pipeline e por 4 treads por processador... será que veremos isso no Zen 3. Gente temos que admitir que a AMD deu uma reviravolta incrível no mercado de computação, demorou mais apresentou um projeto consistente demais e muito duradouro! O próximo passo seria o empilhamento disso com varias camadas de Infinit Fabric... ai o céu é o limite! Dá para explorar muito esse conceito!

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@OCCT, @ClinkLinck . Tinha conhecimento da existência destes processadores a bastante tempo (desde 2010) mas nunca procurei me aprofundar sobre eles! São os filhotes do Larrabee 🤣🤣🤣🤣🤣... Não ia lembrar nunca disso! Um projeto que nunca rendeu o que se esperava! E a Intel ainda insistiu muito nisso. Gastou dinheiro pra caramba! Lançaram Knights Ferry (45nm), Knights Corner (22nm), Knights Landing (14nm), Knights Hill (10nm porém nunca saiu do papel, foi cancelado) e Knights Mill (14nm). Olha a quantidade de dinheiro investido... nem imaginava que eram SMT4. O pior é que ela cancelou a produção deles esses dias 😱🤯.

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8 minutos atrás, brender disse:

Motherboard Tier List

 

AMD (b350, b450, x370, x470, x399)

 

https://linustechtips.com/main/topic/1046357-motherboard-tier-list/

Achei a relação no mínimo curiosa. 

 

X470GT8 como Basic, R3 e Atlh ? Meio pesado isso, ainda mais para uma placa vendida a mais de 1K aqui.

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23 minutos atrás, LNPott disse:

Achei a relação no mínimo curiosa. 

 

X470GT8 como Basic, R3 e Atlh ? Meio pesado isso, ainda mais para uma placa vendida a mais de 1K aqui. 

Deve ser nego que está fazendo up-grade escalonado, já investiu na mobo e CPU com iGPU p/ dps colocar uma CPU e/ou GPU parruda.

 

Vai de acordo com o processador que a galera usa, dai eles separam por TIER:

 

Tier A High-end gaming (r7oc, Threadripper 1000oc/Threadripper 2000)

Biostar: X370GT7

 

Tier B Mainstream gaming (r5oc, r7oc, Threadripper 1000)

Biostar: x470GTN, x370GTN, B350GT3

 

Tier D Basic (Athlon, r3)

Biostar: X470GT8, B350GTN, all a320 boards

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Samsung revela seu nó de 3nm para tentar os gostos da AMD e Nvidia longe da TSMC

 

Artigo completo: https://www.pcgamesn.com/samsung/3nm-gaa-beat-tsmc

 

A Samsung continua a impulsionar seus planos de se tornar a maior fundição de semicondutores pureplay, apresentando sua mais recente tecnologia a possíveis parceiros, a fim de atraí-los para longe da TSMC. A Samsung pode muito bem ser uma das maiores empresas de tecnologia do mundo, mas quer conquistar uma fatia maior do contrato de fabricação de torta que a TSMC tem engolido recentemente. No momento, a fundição de pureplay taiwanesa tem cerca de 50% do mercado de manufatura por contrato, enquanto a Samsung está perdendo em pouco menos de 15%.

A fim de roubar uma marcha na TSMC, a gigante coreana distribuiu o kit de projeto de processo para seu avançado processo GAAFET (Gate-All-Around Field Transistor) de 3nm para que os clientes potenciais pudessem começar cedo o difícil trabalho de design. necessário para criar chips no novo nó super avançado.

 

O minuciosamente minúsculo processo 3nm é o primeiro dos nós da Samsung a ir além do design do transistor FinFET existente e para o layout GAA. Os transistores Gate-All-Around fornecem maior controle sobre o fluxo de eletricidade do que o FinFET, particularmente nessa escala menor.

 

A Agência de Notícias Yonhap informou sobre o recente Fórum de Fundição da Samsung, realizado em Santa Clara, onde convidou 800 corporações de semicondutores e clientes para ver seus novos avanços na tecnologia de processos. A empresa afirma que a Samsung está "promovendo ativamente" sua nova tecnologia de processo, a fim de alcançar a TSMC e cortar sua lucrativa participação de mercado de 50%.

 

O processo GAA de 3nm não é o único em que a empresa está fazendo compras, existem outros quatro nós de processos FinFET disponíveis antes de entrarmos nessa litografia estranhamente pequena, que ostenta a nova tecnologia ultravioleta extrema (EUV). A Samsung tem os nós de 7nm, 6nm, 5nm e 4nm, todos ainda por vir, embora não tenhamos certeza se esses são todos derivados do mesmo processo essencial.

 

Samsung anuncia 3nm GAA MBCFET PDK, versão 0.1

 

Artigo completo: https://www.anandtech.com/show/14333/samsung-announces-3nm-gaa-mbcfet-pdk-version-01

 

No entanto, como os transistores planares, os transistores FinFET acabam chegando a um ponto em que não podem escalar à medida que os nós de processo diminuem. Para escalar, essa área de contato entre o canal e o gate precisa aumentar, e a maneira de fazer isso é usar um design Gate-All-Around (GAA). O GAA ajusta as dimensões do transistor para garantir que o portão também esteja abaixo do canal, não apenas no topo e nos lados. Isso permite que um projeto GAA empilhe os transistores verticalmente, em vez de lateralmente.

 

Onde transistores planares escalonados para cerca de 22nm / 16nm, os FinFETs foram ideais quando descemos de 22nm / 14nm para 5nm e 4nm. A Samsung está planejando introduzir GAAFETs baseados em nano-folhas em seu design 3nm, substituindo inteiramente os FinFETs.

 

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Construindo em 3nm: PDKs

 

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A Nuance com MBCFETs

 

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A Samsung afirma que seu design 3GAE, independentemente do design da largura da chapa, permitirá a portabilidade direta de IP de qualquer um de seus projetos da família de 4 nm. O 3GAE e o 4LPP compartilham as mesmas regras de design do BEOL, permitindo isso.

 

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O anúncio de hoje é que a Samsung está oferecendo sua primeira versão alfa do PDK para seu processo de 3nm de primeira geração que usa MBCFETs. A Samsung está chamando esse processo de "3GAE", e essa versão alfa permitirá que seus parceiros comecem a se familiarizar com algumas das novas regras de design para seu processo 3GAE.

A Samsung está fazendo muitas promessas com o seu primeiro processo 3GAE. Uma das manchetes é baixar a tensão de operação de 0,75 volts para 0,70 volts, o que será um bom passo na potência. Os valores de PPA de manchete que a Samsung está anunciando também são impressionantes: comparado a 7nm, o 3GAE oferecerá desempenho de 1,35x, 0,5x de potência, com uma área de die de 0,65x.

 

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Para colocar um pouco disso em perspectiva: a Samsung espera que seu processo de 3GAE ofereça o primeiro cliente em fita-adesiva em 2020, com produção de risco no final de 2020 e volume de produção no final de 2021.

Além do 3GAE, a Samsung já destacou que seu processo de 3nm de segunda geração será chamado de 3GAP, com foco na operação de alto desempenho. O processo 3GAP será focado em otimização, aproveitando o que a Samsung aprendeu com o 3GAE. O 3GAE entrará em produção de risco em 2021, com produção em massa provável em 2022.

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